类型：双向TVS二极管
　　标称击穿电压(VBR)：1.25V
　　最大钳位电压(VC)：3.5V
　　反向待机电压(VRWM)：1.0V
　　峰值脉冲电流(IPP)：依据测试条件定义
　　峰值脉冲功率(PPPM)：根据IEC 61000-4-2标准评估
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323或SOD-523（具体以厂商为准）

RAV1.25-3.5 TVS二极管具备优异的瞬态电压抑制性能，特别适用于低电压逻辑电路和高灵敏度模拟前端的保护。其核心特性之一是极低的击穿电压阈值（1.25V），这使得它能够在现代低压供电系统（如1.8V、1.2V甚至更低）中实现精确的过压防护，避免传统较高钳位电压的TVS器件在这些系统中误动作或无法及时响应的问题。由于采用了先进的半导体工艺，该器件在未触发状态下呈现极高的阻抗，几乎不影响原电路的工作状态；一旦检测到超过其击穿电压的瞬态电压尖峰，便会迅速进入雪崩击穿状态，将电压钳制在安全范围内（最大3.5V），从而保护后级芯片不受损伤。
　　另一个关键特性是其超快响应速度。RAV1.25-3.5的响应时间通常小于1纳秒，远快于常见的保护器件如压敏电阻或气体放电管，能够有效应对静电放电（ESD）这类上升时间极短（可达数百皮秒）的瞬态事件。在IEC 61000-4-2接触放电测试中，该器件可承受±8kV甚至更高的等级，表现出卓越的抗扰度能力。同时，其双向结构设计允许其在正负极性瞬变下均能提供对称保护，适用于交流信号路径或双向数据线。
　　此外，RAV1.25-3.5具有非常小的结电容（典型值低于1pF至几皮法之间，取决于具体型号），这一特性使其非常适合用于高频或高速数字信号传输线路的保护，例如USB 2.0、HDMI、SD卡接口、RF前端模块等，不会引入明显的信号衰减或失真。其微型表面贴装封装（如SOD-323）不仅节省PCB空间，还便于自动化贴片生产，提升产品集成度与制造效率。综合来看，该器件在低电压适应性、响应速度、电容特性及可靠性方面达到了良好的平衡，是现代紧凑型电子设备中理想的ESD保护解决方案。

RAV1.25-3.5 TVS二极管主要应用于需要精密过压保护的低电压电子系统中。常见使用场景包括移动通信设备中的射频前端保护，例如智能手机和平板电脑的天线接口、SIM卡槽、耳机插孔等易受人体静电影响的部位。在这些位置部署RAV1.25-3.5可以有效吸收高达数千伏的ESD脉冲，防止敏感的CMOS射频开关或音频编解码器受损。此外，该器件也广泛用于各类高速数据接口的防护，如USB Type-A/C、I2C、SPI、UART等串行通信总线，因其低电容特性不会干扰信号完整性，同时提供足够的瞬态抑制能力。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手表、TWS耳机、可穿戴健康监测设备等，电源轨通常工作在1.2V~3.3V之间，传统的TVS可能钳位电压过高而失去保护意义，而RAV1.25-3.5恰好填补了这一空白，可在1.25V左右精准启动保护机制，确保微控制器、传感器或存储器免受异常电压冲击。工业控制领域中的一些低功耗传感节点、RS-485通信接口的辅助保护电路也可采用此类低电压TVS作为补充防护措施。此外，在汽车电子中的某些低压信号采集通道（如车内娱乐系统的音频线路）也可能用到类似规格的TVS器件来增强电磁兼容性（EMC）。总而言之，任何存在低幅值但高风险瞬态干扰的应用环境，都是RAV1.25-3.5发挥价值的理想场所。