型号：RAQ045P01TCR
　　制造商：Renesas Electronics
　　工艺类型：GaAs
　　工作频率范围：24 GHz 至 30 GHz
　　典型增益：20 dB
　　输出P1dB功率：+25 dBm
　　饱和输出功率（Psat）：+27 dBm
　　电源电压：+5 V
　　静态工作电流：120 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（集成匹配）
　　封装类型：QFN（4 mm × 4 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：HBM > 1 kV

RAQ045P01TCR具有出色的射频性能和系统级集成优势，特别适合在高频宽带通信系统中作为主功率放大级使用。其核心特性之一是宽频带操作能力，覆盖24GHz至30GHz的频率范围，使其能够兼容多种标准下的毫米波应用，如5G NR n257、n258和n261频段，也适用于E-band通信中的部分子频段。在此频段内，该器件能保持平坦的增益响应和稳定的输出功率表现，有效降低系统校准复杂度。得益于GaAs工艺的高电子迁移率和优良的高频特性，RAQ045P01TCR实现了高达20dB的小信号增益和+27dBm的饱和输出功率，在同类产品中具备较强的竞争力。
　　另一个关键特性是其高功率附加效率（PAE），在典型工作条件下可达35%以上，显著降低了整机功耗和散热需求，这对于部署于户外的小型基站或远程无线单元尤为重要。芯片内部集成了输入和输出端的直流隔离电容以及射频匹配网络，极大减少了外围组件数量，提高了电路板布局的灵活性并节省空间。此外，该器件支持外部偏置控制，允许通过调节栅极电压来优化工作状态，从而适应不同调制格式下的线性度要求，例如OFDM或16-QAM等高阶调制方式。
　　RAQ045P01TCR还具备良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的高温工作寿命测试（HTOL）验证，可在恶劣环境条件下持续运行。其QFN封装不仅体积小巧，还提供了优异的散热路径，有助于将结温维持在安全范围内。该器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色制造规范。内置的ESD保护结构增强了器件在装配和现场维护过程中的鲁棒性，防止因静电放电造成损坏。总体来看，RAQ045P01TCR以其高频宽带、高效率、高集成度和高可靠性，成为新一代无线基础设施中不可或缺的关键射频组件。

RAQ045P01TCR主要应用于高频段无线通信系统，尤其适用于5G毫米波网络架构中的射频前端模块。它可被用于小型基站（Small Cell Base Stations）和微微蜂窝基站中，作为上行或下行链路的主功率放大器，支持高速数据传输和低延迟通信服务。在5G固定无线接入（FWA）设备中，该芯片可用于增强用户终端设备（CPE）的发射能力，提升覆盖范围和连接质量。此外，RAQ045P01TCR广泛用于点对点（PtP）微波回传系统，特别是在E-band和V-band频谱中进行多Gb/s级别的高速骨干链路传输，满足城市间或数据中心互联的高带宽需求。
　　该器件同样适用于工业、科学和医疗（ISM）频段内的专用无线系统，例如智能交通系统（ITS）、高清视频无线传输、无人机通信链路以及安防监控网络。由于其具备良好的线性度和抗干扰能力，RAQ045P01TCR也可集成到相控阵雷达和卫星通信地面站设备中，用于实现波束成形和远距离信号发射。在测试与测量仪器领域，该放大器可用于构建高性能信号源或驱动天线模拟器，确保测试环境的真实性与一致性。随着毫米波技术在物联网（IoT）和车联网（V2X）中的逐步推广，RAQ045P01TCR也将成为支撑这些新兴应用场景的核心元器件之一。

RAQ045P02TCR
　　RAQ040P01TCR
　　HMC1089BF20