频率范围：2.7 GHz - 3.8 GHz
　　输出功率：60W（典型值）
　　工作电压：+28V
　　工作电流：约2.5A（静态电流）
　　增益：12dB（典型值）
　　效率：超过60%（典型值）
　　封装形式：金属陶瓷封装（Flange Package）
　　输入/输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

RA60H3847M1-101 采用先进的 GaN HEMT 技术制造，具有优异的高频性能和高功率密度，能够在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 的频率范围内提供高达 60W 的连续波输出功率。其高效率特性（超过 60%）使其在高功率放大应用中具备较低的功耗和热量产生，从而提升系统稳定性与可靠性。
　　该晶体管具有良好的线性度，适合用于需要高保真信号放大的通信系统，例如 4G LTE、5G 前端基站、微波通信和广播系统。其金属陶瓷封装结构具有良好的热导性能，可有效散热，确保在高功率下稳定运行。
　　此外，RA60H3847M1-101 还具备良好的抗失真能力和高互调性能，能够适应复杂的射频环境。它通常用于推挽式或D类放大器拓扑结构，以实现更高的效率和输出功率。

RA60H3847M1-101 广泛应用于无线通信基础设施，如 4G/5G 基站、广播发射器、军用雷达、测试设备和工业射频加热系统。在通信系统中，该器件常用于功率放大器模块（PAM）中，作为主功率放大器或中间级放大器，以提高信号的发射距离和稳定性。
　　在雷达和电子战系统中，RA60H3847M1-101 可用于脉冲放大器设计，提供高脉冲功率输出和快速响应能力。此外，在射频测试仪器中，该晶体管可用于构建高功率信号源，满足各种测试场景的需求。
　　由于其高可靠性和优异的热管理能力，RA60H3847M1-101 也适用于恶劣环境下的工业应用，如远程通信、海上通信和航空航天设备中的射频功率放大模块。

CGH40060P, GaN1994D, NPT2970, AFT05MP07GN