RA4-5W-K 时间：2025/12/28 9:06:36 阅读：23

RA4-5W-K 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的高精度、低温度系数的金属箔电阻器，属于 Vishay 的 RA 系列电阻产品线。该器件采用先进的金属箔技术制造，具有极高的稳定性、优异的长期可靠性和出色的抗环境应力能力。RA4-5W-K 的额定功率为 5W，在高温和恶劣工作条件下仍能保持稳定的电气性能，适用于对精度和可靠性要求极高的工业、测试测量、航空航天以及医疗设备等关键应用场合。该电阻器采用无感结构设计，具备极低的电感和电容特性，能够在高频信号环境中提供稳定的阻值表现。其封装形式为轴向引线式陶瓷基板结构，具有良好的散热性能和机械强度，适合在大功率密度应用中使用。此外，RA4-5W-K 具备出色的脉冲负载能力和抗浪涌性能，可承受短时过载而不发生性能退化或损坏。

参数

品牌：Vishay
　　系列：RA
　　型号：RA4-5W-K
　　电阻类型：金属箔电阻
　　额定功率：5W
　　标称阻值：根据具体后缀而定（例如 RA4-5W-K100 表示 100Ω）
　　阻值公差：±0.01%、±0.05%、±0.1% 可选
　　温度系数（TCR）：±0.2 ppm/°C 至 ±2 ppm/°C（典型值）
　　工作温度范围：-65°C ~ +175°C
　　最大电压：750V
　　噪声：-40 dB（典型）
　　热电动势：<0.1 μV/°C
　　绝缘电阻：>10 GΩ
　　耐湿性：符合 MIL-STD-202 方法 106
　　脉冲负载能力：符合 MIL-STD-202 方法 303
　　安装方式：通孔安装（THT）
　　引线材料：镀锡铜线
　　基板材质：陶瓷基板

特性

RA4-5W-K 金属箔电阻的核心优势在于其卓越的稳定性和极低的温度系数（TCR），这使其在长时间运行和温度变化剧烈的环境下依然能够维持极其精确的阻值。其采用的金属箔技术通过将极薄的镍铬合金箔片粘合到高导热陶瓷基板上，并通过光刻工艺精确蚀刻出电阻图案，从而实现纳米级的阻值控制精度。这种结构不仅大幅降低了热应力引起的阻值漂移，还显著提升了散热效率，确保在 5W 高功率负载下仍能保持低温升和高稳定性。
　　该器件具有极低的寄生参数，包括电感小于 0.08 μH 和电容小于 0.2 pF，因此在高频和高速脉冲电路中表现出色，不会引入额外的相位失真或信号反射，适用于高精度仪表放大器、ADC/DAC 基准缓冲、滤波网络等敏感模拟电路。此外，RA4-5W-K 的热电动势低于 0.1 μV/°C，有效避免了因温度梯度产生的微小电压误差，这对于微伏级信号处理系统至关重要。
　　在长期可靠性方面，RA4-5W-K 经过严格的环境老化测试，包括高温储存、温度循环、湿度负荷等试验，其年老化率可低至 ±0.005%，远优于常规薄膜或绕线电阻。其无铅兼容结构和符合 RoHS 指令的设计也使其适用于现代绿色电子产品制造。此外，该电阻具备优异的抗冲击和振动性能，适合用于航空航天、石油勘探、电力监控等严苛工业环境中的高精度测量系统。

应用

RA4-5W-K 被广泛应用于需要极高精度和长期稳定性的电子系统中。典型应用包括高精度测量仪器如数字万用表（DMM）、精密电源、校准设备中的基准电阻网络；在数据采集系统和模数转换器（ADC）前端电路中作为增益设置电阻或分压器，确保信号链的线性度和准确性；在医疗成像设备如 MRI 和 CT 扫描仪中用于信号调理电路，保障患者数据的安全与精确；在工业自动化控制系统中作为反馈采样电阻，用于电机驱动、PLC 模块和过程控制仪表；此外，它也被用于航空航天电子系统、卫星通信设备以及军事雷达系统中，承担关键信号路径中的阻抗匹配与偏置设定任务。由于其出色的脉冲承受能力和低噪声特性，该电阻还可用于激光驱动器、脉冲发生器和高能物理实验设备中的高稳定性功率电路。