R860S3S 时间：2025/8/25 5:09:13 阅读：29

R860S3S 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。该器件采用小型化封装，具有较低的导通电阻和良好的热稳定性，适用于便携式设备和高密度电源系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：3.6A
　　最大漏极-源极电压：30V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：52mΩ（@Vgs=10V）
　　栅极电荷（Qg）：16nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

R860S3S 功率 MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体效率。在高功率密度设计中，这一特性尤为重要。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行，适合工业级应用。R860S3S 还具备较快的开关速度，适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器等。
　　该 MOSFET 采用 SOP-8 封装，体积小巧，便于 PCB 布局和集成，适用于空间受限的设计场景，如移动设备、嵌入式系统和小型电源模块。
　　R860S3S 还具备较高的耐压能力，漏极-源极最大电压为 30V，适用于中等电压的功率转换电路。栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间工作，适合多种驱动器配合使用。
　　在可靠性方面，R860S3S 具有较高的抗静电能力和过热保护特性，有助于提升系统稳定性并延长使用寿命。