R860S3S 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理应用,如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。该器件采用小型化封装,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于便携式设备和高密度电源系统。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流:3.6A
最大漏极-源极电压:30V
最大栅极-源极电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):52mΩ(@Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):16nC
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOP-8
R860S3S 功率 MOSFET 的主要特性之一是其较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体效率。在高功率密度设计中,这一特性尤为重要。
此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下稳定运行,适合工业级应用。R860S3S 还具备较快的开关速度,适合用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器等。
该 MOSFET 采用 SOP-8 封装,体积小巧,便于 PCB 布局和集成,适用于空间受限的设计场景,如移动设备、嵌入式系统和小型电源模块。
R860S3S 还具备较高的耐压能力,漏极-源极最大电压为 30V,适用于中等电压的功率转换电路。栅极驱动电压范围较宽,可在 4.5V 至 20V 之间工作,适合多种驱动器配合使用。
在可靠性方面,R860S3S 具有较高的抗静电能力和过热保护特性,有助于提升系统稳定性并延长使用寿命。
R860S3S 主要应用于各类电源管理系统中,包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关电路、电机驱动模块、电池管理系统(BMS)以及各种便携式电子设备中的功率控制部分。此外,该器件也常用于工业自动化设备、智能电表、LED 驱动电路和低电压电机控制电路中。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDS6675