型号：R7W200DR-S
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：650V
　　最大连续漏极电流(ID)：1.2A
　　脉冲漏极电流(IDM)：4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：2.0Ω（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：3.0V～4.0V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　功耗(PD)：25W
　　工作结温范围(TJ)：-55℃～+150℃
　　存储温度(Tstg)：-55℃～+150℃
　　输入电容(Ciss)：450pF（@VDS=25V）
　　输出电容(Coss)：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　封装形式：SOP-8L

R7W200DR-S采用了ROHM独有的超结（Super Junction）MOSFET技术，显著提升了器件在高压条件下的性能表现。该技术通过精确控制P型与N型区域的交替排列，实现更均匀的电荷分布，从而大幅降低单位面积下的导通电阻，提高器件的电流处理能力。这种结构设计不仅使R7W200DR-S在650V高耐压下仍具备2.0Ω的低RDS(on)，还有效减少了导通损耗，提高了整体能效。同时，由于导通电阻的降低，器件在长时间运行过程中产生的热量更少，有利于简化散热设计，缩小电源模块的整体尺寸。
　　该器件具有出色的开关特性，其输入电容Ciss仅为450pF，输出电容Coss为110pF，在高频开关应用中能够显著减少开关延迟和驱动功耗。配合较短的反向恢复时间trr（35ns），可有效抑制体二极管反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，提升系统的稳定性和EMI性能。这对于高频率工作的电源拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激式（Active Clamp Flyback）等尤为重要。
　　R7W200DR-S内置了优化的栅极结构，增强了对dv/dt噪声的抗扰能力，避免误触发导致的直通风险。其栅极氧化层经过特殊工艺处理，支持高达±30V的栅源电压，提升了在复杂驱动电路中的鲁棒性。此外，器件的工作结温可达+150°C，表明其具备良好的热稳定性，可在高温工业环境中长期可靠运行。结合SOP-8L封装的小型化优势，R7W200DR-S非常适合空间受限但要求高性能的应用场合，例如LED驱动电源、通信电源模块及便携式充电设备等。

R7W200DR-S广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和小型化设计的AC-DC电源适配器和充电器，包括笔记本电脑、智能手机及平板电脑的外置电源单元。在这些应用中，该器件通常作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升转换效率并降低温升。此外，它也常用于LED照明驱动电源，特别是在高亮度LED路灯、商业照明和户外显示系统中，帮助实现更高的功率因数和更低的待机功耗。
　　在工业自动化和控制系统领域，R7W200DR-S可用于电机驱动电路中的功率开关元件，支持PWM调速控制，提供稳定的电流输出和良好的动态响应。其高耐压特性使其能够在400V以上的母线电压条件下安全运行，适用于变频器、伺服驱动器和小型UPS不间断电源等设备。
　　该器件还可用于太阳能微逆变器和储能系统的DC-DC转换级，利用其优异的开关性能减少能量损耗，提高光伏系统的整体发电效率。在电信基础设施中，R7W200DR-S被应用于基站电源模块和服务器电源的次级侧开关，满足高密度电源对效率和可靠性的严格要求。得益于SOP-8L表面贴装封装，该器件易于实现自动化贴片生产，适合大规模制造，广泛服务于消费电子、工业控制、绿色能源和通信等多个行业。