R7735LGE 时间：2025/12/27 3:11:46 阅读：9

R7735LGE是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高性能电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、同步整流、电池管理系统以及电机驱动等多种场景。R7735LGE封装于小型化且具有良好散热性能的PowerFLAT 5x6封装中，有助于在空间受限的设计中实现高效能表现。其额定电压为30V，能够承受较高的脉冲电流，同时具备良好的抗雪崩能力和可靠性，适合在工业控制、消费类电子产品及便携式设备中使用。该MOSFET还通过了AEC-Q101车规级认证，使其可应用于车载电子系统，如车身控制模块、车载充电装置等。R7735LGE在设计上优化了栅极电荷与导通损耗之间的平衡，从而提升了整体能效，并减少了对外部散热措施的依赖。

参数

型号：R7735LGE
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：42A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：28A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.3mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：5.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：25nC
　　输入电容（Ciss）：2190pF
　　输出电容（Coss）：680pF
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 (5mm x 6mm)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合RoHS标准：是
　　符合AEC-Q101：是

特性

R7735LGE采用瑞萨先进的沟槽型MOSFET工艺技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而有效减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其典型RDS(on)值在VGS=10V时仅为4.3mΩ，在同类产品中具有较强的竞争力，特别适用于大电流应用场景。该器件的低栅极电荷（Qg）特性进一步优化了开关性能，降低驱动损耗并提升高频工作下的能效表现。由于具备较低的米勒电容（Crss）和输入电容（Ciss），R7735LGE在高速开关电路中表现出色，能够减少开关延迟和电磁干扰（EMI）。
　　该MOSFET经过优化设计，具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在高温环境下持续运行而不发生性能退化。其PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且底部带有裸露焊盘，便于通过PCB进行高效散热，从而提升功率密度。此外，R7735LGE具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中提供更好的保护，增强系统的鲁棒性。
　　器件还集成了快速体二极管，反向恢复时间（trr）仅为22ns，这在同步整流和H桥驱动应用中尤为重要，可有效减少反向恢复损耗和电流尖峰。同时，±20V的栅源电压耐受能力使得其在存在栅极电压波动的应用中仍能保持安全运行。AEC-Q101认证表明其已通过严格的汽车级可靠性测试，包括温度循环、高温反偏、高压蒸煮等，适用于对质量和稳定性要求极高的车载电子系统。综合来看，R7735LGE是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率与小型化的现代电源设计。

应用

R7735LGE广泛应用于需要高效能功率开关的各类电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：大电流DC-DC降压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块中作为主开关或同步整流器使用；电池供电设备中的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等，利用其低导通电阻以延长续航时间；电机驱动电路，例如无人机电调、电动工具和家用电器中的直流电机控制，凭借其高电流承载能力和快速开关特性实现精确控制；此外，该器件也适用于LED驱动电源、热插拔控制器和ORing电路等场景。
　　在工业自动化领域，R7735LGE可用于PLC模块、传感器供电电路和工业电源系统，提供稳定的功率切换功能。得益于其AEC-Q101认证，该器件还可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ADAS电源模块、车身照明控制、车载充电机（OBC）以及电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制。其小型化封装特别适合空间受限的车载ECU设计。同时，在电信基础设施中，R7735LGE可用于基站电源、光模块供电等高密度电源架构中，帮助实现更高的功率密度和更低的温升。总之，凡是需要低损耗、高效率、高可靠性的N沟道MOSFET的场合，R7735LGE都是一个极具吸引力的选择。