R7732GGE 时间：2025/9/13 18:23:10 阅读：6

R7732GGE 是一颗由Renesas（瑞萨电子）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和工业控制设备等多种应用领域。R7732GGE采用紧凑的封装形式，使得在有限空间内的高密度电路设计成为可能，同时其高耐压和大电流能力确保了在严苛工作条件下的稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：14A
　　导通电阻(Rds(on))：12.8mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：HSOP（高散热小型外露焊盘封装）

特性

R7732GGE 功率MOSFET采用了瑞萨电子先进的沟槽式MOSFET技术，这使得它在同类产品中具有出色的导通性能和较低的开关损耗。其最大漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，确保了在多种电路配置下的安全使用。在25°C环境温度下，R7732GGE的连续漏极电流可达14A，适用于高电流负载的应用场景。此外，其导通电阻（Rds(on)）仅为12.8mΩ（典型值），在高电流工作状态下能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件的功率耗散能力为100W，在高温环境下也能保持良好的热稳定性。
　　为了增强散热性能，R7732GGE采用了HSOP（高散热小型外露焊盘封装）封装，使得热量可以更有效地从芯片传导到PCB上，从而提高器件的可靠性。此外，其工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，R7732GGE在电源管理、电机控制、LED照明驱动以及电池供电设备中都有广泛的应用。

应用

R7732GGE 功率MOSFET因其高电流能力和低导通电阻，被广泛应用于多个领域。其中包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、工业自动化控制设备、LED照明驱动电路、电源管理模块以及汽车电子系统（如车载充电器、电动助力转向系统等）。其紧凑的封装和高热效率也使其成为高密度PCB布局设计的理想选择。