型号：R7301A
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：120A
　　脉冲漏极电流IDM：480A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：1.3mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：1.8mΩ
　　栅极电荷Qg（typ）：65nC
　　输入电容Ciss（typ）：3400pF
　　输出电容Coss（typ）：1100pF
　　反向恢复时间trr（typ）：25ns
　　阈值电压Vth（min）：1.0V
　　阈值电压Vth（max）：2.5V
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

R7301A采用了瑞萨先进的沟槽式场截止工艺技术，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，同时优化了载流子分布，使得器件在高频开关应用中表现出更低的导通损耗和开关损耗。其超低的RDS(on)值——在VGS=10V时最大仅为1.3mΩ，即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持1.8mΩ的优异水平，这使其非常适合用于大电流、低电压供电系统中，例如同步整流DC-DC变换器和电池供电设备。该MOSFET具备极高的电流承载能力，连续漏极电流可达120A（在25°C条件下），配合高效的封装散热设计，可在较高环境温度下持续运行。
　　器件的栅极电荷Qg典型值为65nC，结合相对较低的输入电容（Ciss约3400pF），有助于减少驱动电路的能量消耗，提升系统整体效率，尤其是在高频PWM控制场合。此外，其较短的反向恢复时间trr（典型25ns）有效抑制了体二极管在续流过程中的反向恢复尖峰，降低了电磁干扰（EMI）风险，并提高了桥式电路中的可靠性。R7301A的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，展现出卓越的热稳定性，适合在严苛工业或汽车级环境中使用。内置的体二极管具有较强的雪崩耐量，能够在突发断路或感性负载切换时提供一定的保护能力，避免因电压突升导致器件损坏。
　　PowerPAK SO-8封装不仅实现了小型化设计，还通过底部裸露焊盘增强散热性能，使芯片热量能够高效传导至PCB，从而延长使用寿命并提高功率密度。该封装无铅且符合RoHS指令要求，支持自动化贴片生产，提升了制造良率与一致性。综合来看，R7301A凭借其高性能参数、可靠的设计和紧凑的封装，在现代高效率电源系统中占据重要地位。

R7301A主要用于高效率开关电源系统中，典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器主板、通信设备电源模块和高端显卡供电电路中作为主控开关或同步整流管使用。其低导通电阻和高电流能力也使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，保障锂电池组在大功率充放电过程中的安全与效率。此外，该器件广泛用于电动工具、无人机、便携式医疗设备等依赖高能量密度电源架构的产品中，作为负载开关或电机驱动桥臂元件。在LED照明驱动电源中，R7301A可用于初级侧开关或次级侧同步整流，以提高光效并降低发热。工业自动化控制系统中的继电器替代方案（固态开关）也是其常见用途之一，利用其快速响应和长寿命优势取代机械触点。由于具备良好的高温工作能力，该MOSFET还可用于车载辅助电源系统（非主驱逆变器）或车载充电机（OBC）内部的低压电源管理单元。总之，凡涉及中低压、大电流、高频率开关操作的电力电子系统，R7301A均能提供高效、可靠的解决方案。

RJK03B9DP
　　IPD90R015C6
　　SQJQ160E