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R7003803XXUA 发布时间 时间:2025/8/7 3:04:39 查看 阅读:26

R7003803XXUA 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的功率MOSFET,属于其MOSFET产品线的一部分。该器件专为高效率功率转换应用设计,具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、电池管理系统以及工业自动化等场景。该MOSFET采用先进的封装技术,有助于提高散热性能,从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):约2.3mΩ(典型值)
  封装形式:PowerPAK SO-8双封装
  工作温度范围:-55°C至150°C
  技术:沟槽栅极MOSFET技术

特性

R7003803XXUA 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。该器件采用沟槽栅极技术,使得在相同电压和电流条件下,能够提供更优的导通性能和更低的开关损耗。此外,R7003803XXUA 的PowerPAK SO-8双封装设计不仅提供了良好的热管理能力,还减少了PCB占用空间,使其非常适合高密度设计的应用场景。
  该MOSFET具备高电流承载能力和良好的热稳定性,在高负载工况下仍能保持较低的工作温度,从而延长器件寿命并提升系统可靠性。其栅极驱动电压范围宽,支持与多种驱动电路兼容,便于系统设计和优化。此外,该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性,能够在极端工况下提供更可靠的保护。
  在高频开关应用中,R7003803XXUA 表现出优异的开关特性,包括快速的开关速度和较低的开关损耗,这使其成为DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路的理想选择。

应用

R7003803XXUA 广泛应用于多种功率电子系统中,特别是在需要高效率和大电流能力的场合。其典型应用包括服务器电源、电信设备电源、电池管理系统(BMS)、电动工具、工业电机驱动器、DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关以及高功率LED照明系统等。由于其优异的导通性能和热管理能力,该MOSFET在高密度电源设计和便携式设备中也具有很高的实用价值。

替代型号

R7003803XXUA的替代型号可能包括SiS828DN、IRLR8256、FDMS8878、IPB013N04NG和NTMFS4C03N等具有类似电气特性和封装的功率MOSFET。

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R7003803XXUA参数

  • 标准包装3
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)3800V(3.8kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)300A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.15V @ 1500A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)9µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50mA @ 3800V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-200AA,A-PUK
  • 供应商设备封装DO-200AA,R62
  • 包装散装