类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：120A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：LFPAK56（Power-SO8）
　　安装类型：表面贴装

R700043XXWA 功率 MOSFET 具有多个显著的技术特性。首先，它的导通电阻非常低，仅为 4.3mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。由于采用了先进的沟槽技术，该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效降低开关损耗。
　　其次，R700043XXWA 具有较高的连续漏极电流能力（120A），使其适用于大功率应用，如电源管理、电机控制和 DC-DC 转换器。此外，该 MOSFET 的栅源电压最大可达 20V，确保了在高电压应用中的稳定性和可靠性。
　　器件的封装形式为 LFPAK56（也称为 Power-SO8），这是一种高性能表面贴装封装，具有优异的热管理和电气性能。这种封装形式有助于提高器件的散热效率，确保在高负载条件下的稳定性。
　　最后，R700043XXWA 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下正常工作。这些特性使得 R700043XXWA 成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中理想的功率开关元件。

R700043XXWA MOSFET 主要应用于高功率和高频电子系统中。常见应用包括电源管理单元、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源系统，如服务器电源、工业控制系统和汽车电子模块。
　　在汽车电子领域，R700043XXWA 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）。在消费类电子产品中，该 MOSFET 可用于高性能笔记本电脑电源适配器、智能家电和智能家居控制系统。
　　此外，R700043XXWA 还广泛应用于电池管理系统（BMS）、光伏逆变器和储能系统等新能源领域，确保高效的能量转换和稳定的系统运行。

SiS828DN, IRF3710, AUIRF1324S-7PP-TF