类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　漏极电流（ID）：60A
　　导通电阻（RDS(on)）：22.8mΩ（最大值，@VGS=10V）
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

R60U02DB 具备多项优良特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，有助于提升电源转换效率。该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，优化了电场分布，从而实现了更低的开关损耗和更高的可靠性。此外，R60U02DB 还具有较高的耐压能力，其漏源电压（VDS）可达200V，适合中高功率应用。器件的栅极电压范围较宽，支持±30V，使其适用于多种驱动电路。R60U02DB 的封装形式为TO-247，具有良好的热管理和散热性能，能够在较高功率下稳定运行。此外，该器件还具备较高的短路耐受能力，提升了在极端工况下的可靠性。
　　另一个重要特性是R60U02DB 的高耐用性与抗干扰能力，使其在恶劣的工作环境中仍能保持稳定性能。其设计优化了热阻特性，降低了工作温度上升对性能的影响，同时增强了长期运行的稳定性。这些特点使R60U02DB 成为高效电源系统中的理想选择。

R60U02DB 广泛应用于多种高功率电子设备和系统中。例如，在电源供应器中，它可用于构建高效的DC-DC转换器，提高能量转换效率并减少热量产生。在工业自动化系统中，R60U02DB 可作为电机驱动电路中的开关元件，提供快速响应和稳定的控制性能。此外，该器件也适用于逆变器系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车中的功率管理系统。由于其优异的开关性能和耐压能力，R60U02DB 也可用于高频开关应用，如谐振变换器和软开关电路。在负载开关和电池管理系统中，R60U02DB 的低导通电阻和高电流承载能力使其能够有效降低系统功耗，提高整体能效。

R60U02DN、R60U02DS、SiHP02NQ