时间:2025/12/27 11:58:05
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R608XMA是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电路以及DC-DC转换器等高效率、低功耗的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET制造工艺,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性等特点。R608XMA封装形式为SOP-8(表面贴装),有助于在紧凑型PCB设计中实现更高的集成度,并通过外露散热焊盘增强散热性能,适用于需要高效能与小型化兼顾的应用场景。该MOSFET工作电压适中,适合电池供电设备或中等功率电源系统使用。此外,其栅极耐压设计符合工业标准,具备一定的抗静电能力,提高了在实际应用中的可靠性。
型号:R608XMA
制造商:ROHM Semiconductor
器件类型:N沟道MOSFET
漏源电压VDS:30V
栅源电压VGS:±20V
连续漏极电流ID(@25°C):17A
脉冲漏极电流IDM:70A
导通电阻RDS(on)(max @ VGS=10V):4.3mΩ
导通电阻RDS(on)(max @ VGS=4.5V):5.8mΩ
阈值电压Vth:1.0V ~ 2.0V
输入电容Ciss:2200pF(@VDS=15V)
输出电容Coss:650pF(@VDS=15V)
反向恢复时间trr:<30ns
工作结温范围Tj:-55°C ~ +150°C
封装类型:SOP-8(含散热焊盘)
R608XMA具备出色的电气特性和热性能,是高性能开关应用的理想选择。其核心优势之一在于极低的导通电阻,在VGS=10V条件下最大仅为4.3mΩ,这显著降低了在大电流传输过程中的功率损耗,从而提升整体系统效率,尤其适用于负载电流较大的DC-DC变换器和同步整流电路。由于采用了ROHM成熟的沟槽结构技术,该MOSFET实现了单位面积下更高的载流子迁移率,使得在相同芯片尺寸下可以获得更优的RDS(on)表现。
另一个关键特性是其优异的开关性能。R608XMA的输入电容和输出电容均经过优化设计,确保了快速的开关响应时间,减少开关过渡期间的能量损耗。这对于高频工作的电源拓扑(如Buck、Boost和同步降压转换器)尤为重要,能够有效降低动态损耗并改善系统的热管理。此外,其较短的反向恢复时间(trr < 30ns)也意味着体二极管在关断过程中产生的反向恢复电荷较少,进一步提升了在桥式或半桥电路中的可靠性,避免因反向电流引起的振荡或过热问题。
该器件还具备良好的热稳定性与机械可靠性。SOP-8封装不仅节省空间,而且底部带有裸露的散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层,极大增强了长期运行时的散热能力。这种设计特别适合在有限空间内进行高密度布局的便携式设备或嵌入式系统中使用。同时,R608XMA支持宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,满足工业级和汽车级应用的部分需求。
此外,R608XMA的栅极驱动电压兼容性强,可在4.5V至10V范围内正常工作,因此既可与逻辑电平信号直接接口,也可配合专用驱动IC使用,灵活性较高。器件本身具备一定的ESD防护能力,并遵循JEDEC标准测试流程,保证了在生产装配和现场使用中的耐用性。综合来看,R608XMA凭借低导通电阻、高电流承载能力、优良的开关特性及稳健的封装设计,成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件之一。
R608XMA主要应用于各类中高功率开关电源系统,包括但不限于同步降压(Buck)转换器、升压(Boost)转换器以及DC-DC模块中作为主开关或同步整流管使用。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于笔记本电脑、平板电脑、路由器、网络通信设备等便携式或嵌入式系统的电源管理单元。此外,该器件也广泛用于电池管理系统(BMS)、电动工具、无人机电源模块以及LED驱动电源中,提供高效的能量转换路径。
在消费类电子产品中,R608XMA常被用于主板上的多相VRM(电压调节模块)设计,以满足CPU或GPU对低电压、大电流供电的需求。其快速开关能力和良好的热性能有助于维持系统在高负载下的稳定性与效率。同时,由于其封装为SOP-8且带散热焊盘,便于自动化贴片生产,适合大规模量产应用。
在工业控制领域,R608XMA可用于电机驱动电路中的低端开关、继电器替代方案或H桥驱动中的功率开关元件。其宽温工作范围和高可靠性也使其适用于部分车载电子设备,如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块等非主驱应用场景。此外,还可用于USB PD充电器、快充适配器等高能效电源产品中,帮助实现小型化与高效率的设计目标。
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"R6008KND5, R6009KNX, R6010KND5, R6011KND5"
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