型号：R6047ENZ1
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道 MOSFET
　　封装类型：SOP-8
　　漏源电压VDS：30 V
　　连续漏极电流ID：55 A（最大值）
　　脉冲漏极电流IDM：220 A
　　导通电阻RDS(on)：4.7 mΩ @ VGS=10V, ID=27.5A
　　栅极阈值电压VGS(th)：1.5 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷Qg：27 nC @ VDS=24V, ID=27.5A
　　输入电容Ciss：2280 pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：590 pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间trr：22 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　功率耗散PD：30 W（带散热焊盘）
　　极性：增强型
　　通道数：单通道

R6047ENZ1采用ROHM专有的先进沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，典型值仅为4.7mΩ，在同类产品中处于领先水平，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。该器件在VGS=10V条件下可承载高达55A的连续漏极电流，同时支持220A的脉冲电流，使其能够应对瞬态大电流负载的需求，广泛适用于高功率密度设计。其栅极电荷Qg低至27nC，有助于降低驱动损耗并加快开关速度，从而减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关电源应用。器件的输入电容Ciss为2280pF，输出电容Coss为590pF，这些优化的寄生参数有助于改善高频响应特性，减少振铃现象，提升系统稳定性。R6047ENZ1具备出色的热性能，得益于SOP-8封装内置的散热焊盘，可在PCB上实现高效的热量传导，确保长时间运行时的可靠性。工作结温范围从-55°C到+150°C，表明其可在极端温度环境下正常工作，适用于工业级甚至部分汽车级应用场景。该MOSFET还具有良好的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载下承受一定的能量冲击，增强了电路的安全性。此外，其栅极阈值电压范围为1.5V至2.5V，兼容低压逻辑驱动信号，便于与微控制器或PWM控制器直接接口。整个器件符合RoHS和无卤素要求，体现了环保设计理念。生产过程中严格的质量控制保证了批次间的一致性和长期可靠性，适合批量生产和长期部署。
　　为了进一步提升系统效率，R6047ENZ1在设计上优化了米勒效应相关的参数，降低了开关过程中的误触发风险。其反向恢复时间trr为22ns，配合体二极管的快速恢复特性，可在同步整流等应用中有效减少反向恢复损耗。此外，该器件在封装上采用表面贴装形式，有利于自动化贴片生产，提高组装效率并节省空间。对于需要多管并联的设计，其良好的参数一致性可以避免电流不均问题。综合来看，R6047ENZ1不仅在电气性能上表现优异，而且在封装、热管理和可靠性方面也做了全面优化，是一款适用于现代高效电源系统的理想选择。

R6047ENZ1广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型用途包括但不限于：同步整流式DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、笔记本电脑适配器和嵌入式电源模块中，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率；在电机驱动电路中，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，用于控制直流电机或步进电机的正反转与调速；在电池管理系统（BMS）中用作充放电路径的电子开关，实现对电池组的安全隔离与保护；也可用于负载开关电路，控制外围模块的供电通断，以实现节能待机功能。此外，该器件适用于LED驱动电源、无线充电发射端的功率级、通信基站的辅助电源单元以及工业PLC中的数字输出模块。由于其高电流承载能力和紧凑封装，特别适合空间受限但功率要求较高的便携式设备和高密度电源板设计。在汽车电子领域，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器或车身控制模块中的功率控制部分，前提是系统具备足够的热管理措施。其稳定的高温工作性能也使其适用于一些恶劣环境下的工业控制设备。总之，凡是在30V系统电压范围内需要高性能N沟道MOSFET的场合，R6047ENZ1都是一个极具竞争力的选择。

R6035JNZ4TR
　　R6045JNZ4TR
　　SiR626DP-T1-GE3
　　IRF7473PbF