R6031035ESYA 时间：2025/8/7 4:51:20 阅读：5

R6031035ESYA 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能电源管理应用设计。这款MOSFET采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等高要求场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：600V
　　漏极电流(ID)：31A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.17Ω（最大0.21Ω）
　　栅极电荷(Qg)：47nC
　　功率耗散(PD)：134W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

特性

R6031035ESYA 具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件具备高耐压能力，漏源电压可达600V，适合用于高压电源系统。此外，MOSFET的封装形式为TO-247，具备良好的热管理能力，有助于快速散热，确保在高负载条件下的稳定运行。栅极电荷较低，使得开关速度更快，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用。该器件还具备优异的雪崩能量承受能力，提升了在突发过压情况下的可靠性。此外，R6031035ESYA 在不同温度下表现出稳定的电气性能，适用于工业级和汽车级应用环境。

应用

R6031035ESYA 广泛应用于各种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动系统、太阳能逆变器以及电池管理系统。在工业自动化、电动汽车充电设备和能源管理系统中也常用于高效能功率控制。由于其高可靠性和优异的热性能，这款MOSFET也适用于对稳定性要求较高的汽车电子和工业控制领域。