时间：2025/8/7 2:41:13
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R6030235ESYA 是由Renesas（瑞萨电子）生产的一款功率MOSFET晶体管，属于其用于高效功率转换应用的产品系列。这款MOSFET采用先进的制造工艺，提供低导通电阻、高耐压和高可靠性，适用于各种工业电源、电机控制、DC-DC转换器和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（最大值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
R6030235ESYA具备多项优异特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达100V，适用于中高功率应用。该MOSFET还具备优良的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。采用TO-263封装，提供了良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于在PCB上安装。此外，R6030235ESYA的栅极驱动电压范围较宽（±20V），提高了驱动电路的兼容性和稳定性。最后，该器件具备高可靠性，适合工业级应用的严苛环境要求。
R6030235ESYA广泛应用于多种功率电子系统中。常见的应用包括高效DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及服务器和通信电源系统。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET也常用于电动车、储能系统和太阳能逆变器等新兴能源应用中。
R6030KNX、R6030ENX、IPW60R012E12
