R6024KNZ1C9 时间：2025/11/7 20:38:42 阅读：8

R6024KNZ1C9是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和双扩散工艺制造，专为高效率开关应用设计。该器件封装在紧凑的表面贴装HUMC8（Hyper Mini Small Package with 8 pins）封装中，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于便携式设备、电源管理系统以及DC-DC转换器等对空间和能效要求较高的场合。R6024KNZ1C9通过优化内部结构，在确保高可靠性的同时实现了极低的栅极电荷和米勒电容，从而显著降低开关损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，能够在瞬态负载或电压波动条件下稳定运行。其符合RoHS标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品环保要求。作为一款高性能、小尺寸的功率开关器件，R6024KNZ1C9广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子产品的电源管理模块中。

参数

型号：R6024KNZ1C9
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：7.4 A
　　最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：29 A
　　最大功耗（Pd）：1.5 W
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=10V：24 mΩ
　　导通电阻Rds(on) @ Vgs=4.5V：32 mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：570 pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190 pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：45 pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：11 nC @ Vgs=10V
　　二极管正向电流（Is）：7.4 A
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HUMC8 (S-MINI8A)
　　安装类型：表面贴装

特性

R6024KNZ1C9采用了ROHM专有的Trench MOS技术，这种先进的制造工艺能够有效提升单位面积下的载流能力，同时大幅降低导通电阻。其低Rds(on)特性意味着在相同工作电流下产生的I2R损耗更小，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。尤其是在电池供电设备中，这一优势可以延长续航时间并改善热管理设计。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为11nC，在同类产品中处于领先水平，这意味着驱动它所需的能量更少，特别适合高频开关应用如同步整流型DC-DC变换器。低Qg不仅降低了驱动电路的负担，还减少了开关过程中的交叠损耗，进一步提升了转换效率。此外，其Crss（反向传输电容）也控制得非常出色，有助于抑制米勒效应引起的误触发，增强电路稳定性。
　　R6024KNZ1C9具备优异的热性能，得益于HUMC8封装的高效散热设计，即使在高功率密度环境下也能保持较低的工作温度。该封装体积小巧，底面带有暴露焊盘，可通过PCB良好接地和散热，适用于空间受限的应用场景。同时，器件经过严格的质量控制和可靠性测试，确保在长期运行中保持稳定的电气性能。
　　在安全性和鲁棒性方面，R6024KNZ1C9具有较强的抗静电放电（ESD）能力和过压耐受性，内置体二极管可承受一定的反向电流冲击，适用于存在感性负载或瞬态反向电流的电路环境。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境条件下可靠运行，适用于工业级和消费级多种应用场景。

应用

R6024KNZ1C9主要应用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源开关场合。典型应用包括便携式电子设备中的负载开关、电池保护电路、USB电源开关以及DC-DC降压/升压转换器的同步整流部分。在智能手机和平板电脑中，常用于主电源路径的功率分配与管理，实现对不同功能模块的上电时序控制和节能管理。
　　在笔记本电脑和超极本中，该器件可用于CPU核心供电、内存电源轨或背光驱动电路中的高速开关元件。由于其快速开关特性和低静态功耗，非常适合用于轻载高效模式下的电源拓扑结构，例如脉冲频率调制（PFM）模式操作。
　　此外，R6024KNZ1C9也可用于LED驱动电路、电机驱动控制器、电源多路复用器以及热插拔电源接口中。其高电流承载能力和低导通损耗使其成为替代传统三极管或继电器的理想选择，尤其在追求小型化和高集成度的设计中表现出色。
　　在工业自动化和通信设备领域，该MOSFET可用于隔离电源域、实现远程设备供电控制或构建冗余电源切换机制。配合适当的栅极驱动器使用时，还能支持高达数百kHz甚至MHz级别的开关频率，满足现代开关电源日益增长的高频化趋势需求。