型号：R6024KNXC7
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)@25°C：24A
　　脉冲漏极电流(IDM)：96A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：10.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：13.5mΩ
　　阈值电压(Vth)典型值：2.0V
　　输入电容(Ciss)@VDS=30V：3170pF
　　输出电容(Coss)@VDS=30V：970pF
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：CST3 (DFN)
　　功率耗散(PD)@TA=25°C：50W

R6024KNXC7采用了罗姆先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与出色的开关特性，从而显著降低导通损耗和动态损耗，提升整体电源转换效率。
　　其10.5mΩ的超低RDS(on)在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，使得在大电流应用场景下温升更小，系统热管理更加简便。
　　得益于CST3封装的双面散热设计，芯片顶部和底部均可进行有效热传导，极大提升了散热能力，允许在有限空间内实现更高功率输出，非常适合对体积敏感的高功率密度设计。
　　该器件具有优良的雪崩耐受能力和抗短路性能，增强了在异常工况下的鲁棒性，保障系统安全可靠运行。
　　栅极电荷（Qg）较低，典型值约为27nC @ VDS=30V，有助于减少驱动损耗，使控制器更容易驱动，同时支持更高的PWM调制频率，适用于高频开关电源拓扑如同步整流降压变换器。
　　输入电容与输出电容匹配良好，减小了寄生振荡风险，提高了电磁兼容性（EMC）表现。
　　经过严格的AEC-Q101认证，确保其在汽车电子环境中长期工作的稳定性，可用于车载充电系统、DC-DC模块、LED驱动电源等领域。
　　此外，R6024KNXC7具备良好的体二极管反向恢复特性，trr仅为35ns，降低了反向恢复带来的尖峰电压和能量损耗，进一步提升系统效率并减少EMI干扰。
　　整体来看，这款MOSFET在性能、可靠性与封装集成度之间达到了优秀平衡，是追求高效节能与小型化设计的理想选择。

R6024KNXC7主要用于各类中低压大电流开关电源系统，包括但不限于同步整流DC-DC降压转换器、POL（Point-of-Load）电源模块、电池供电设备的电源管理单元、电动工具与无人机的动力控制系统。
　　在汽车电子领域，它被广泛用于车载信息娱乐系统的供电电路、ADAS辅助驾驶模块的电源架构以及车身控制模块中的负载开关设计。
　　由于其高电流承载能力和优异的热性能，也适用于工业自动化设备中的电机驱动电路、伺服控制电源以及UPS不间断电源中的功率切换部分。
　　此外，还可用于LED照明驱动电源、通信基站电源模块以及便携式医疗设备中的高效电源转换方案。
　　其小型化封装使其特别适合空间受限的应用场景，例如智能手机外设电源、TWS耳机充电盒电源管理、可穿戴设备的电池保护电路等。
　　结合其AEC-Q101认证资质，R6024KNXC7也可作为汽车级电源设计中的关键开关元件，胜任从12V车载系统到混合动力车辆辅助电源的各种任务。
　　总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的N沟道MOSFET应用场景，R6024KNXC7均具备较强的竞争力。

R6024JNZ4 R6024KNZ4