R6024ENX 时间：2025/12/25 12:32:47 阅读：10

R6024ENX是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率开关场景。该器件采用紧凑型SOP-8封装，具备低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，适合在空间受限但对性能要求较高的电子设备中使用。R6024ENX的设计注重能效与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、消费类电子产品及便携式设备中的功率切换应用。其栅极阈值电压适中，易于与逻辑电平信号兼容，便于直接由微控制器或驱动电路控制，降低了系统设计复杂度。此外，该MOSFET还具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。

参数

型号：R6024ENX
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：SOP-8
　　漏源电压VDS：20 V
　　栅源电压VGS：±12 V
　　连续漏极电流ID：8 A
　　脉冲漏极电流IDM：32 A
　　导通电阻RDS(on)：最大8.5 mΩ（@ VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on)：最大10.5 mΩ（@ VGS = 4.5 V）
　　栅极阈值电压Vth：0.7 V ~ 1.5 V
　　输入电容Ciss：典型值1330 pF
　　输出电容Coss：典型值440 pF
　　反向恢复时间trr：典型值19 ns
　　工作结温范围：-55 °C ~ +150 °C
　　功耗PD：2.3 W

特性

R6024ENX的核心优势在于其出色的导通性能与封装小型化之间的平衡。其低RDS(on)特性显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了系统的整体能效，特别适用于电池供电设备或需要长时间运行的工业控制系统。该器件在VGS为10V时，RDS(on)最大仅为8.5mΩ，在4.5V驱动电压下也能保持10.5mΩ的低阻状态，说明其具备良好的低压驱动能力，可与3.3V或5V逻辑电路直接接口，无需额外的电平转换或高电压驱动器支持。
　　器件的SOP-8封装不仅节省PCB空间，而且通过暴露焊盘（PowerPAD）设计增强了散热性能，使热量能够更有效地传导至PCB，从而提升功率处理能力。这种封装方式使得R6024ENX在不牺牲性能的前提下，适应高密度贴装需求。
　　此外，R6024ENX具有优秀的开关特性，包括较低的输入和输出电容，这减少了开关过程中的充放电时间，加快了开关速度，降低了动态损耗。同时，其较短的反向恢复时间（trr = 19ns）有效抑制了体二极管在感性负载关断时产生的反向电流尖峰，减小了电磁干扰（EMI），提高了系统稳定性。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求高的领域。ROHM在制造过程中采用先进的沟槽栅工艺，提升了器件的一致性和长期可靠性，同时通过严格的品质管控保障产品良率和使用寿命。

应用

R6024ENX常用于各类中低电压功率开关场合，典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，作为上下桥臂开关管以实现高效能量转换；在负载开关电路中用于控制电源路径的通断，防止浪涌电流影响系统稳定性；还可用于电机驱动模块中的H桥结构，驱动小型直流电机或步进电机；此外，也适用于笔记本电脑、移动电源、智能家居控制板等便携式设备的电源管理单元。由于其优异的开关特性和热性能，该器件同样适合用于LED驱动电源、热插拔控制器以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路。在工业领域，R6024ENX可用于PLC模块、传感器供电控制和继电器替代方案，实现固态开关功能，提高响应速度和寿命。其广泛的应用适应性使其成为现代电子系统中不可或缺的功率元件之一。