R6018ANX 时间：2025/11/8 2:19:12 阅读：6

R6018ANX是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换场合。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。R6018ANX封装于小型化且具有良好散热性能的HSON-8（MLP8）封装中，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度电源设计。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达18A，适用于中等功率级别的应用需求。由于具备出色的动态性能与较低的栅极电荷（Qg），R6018ANX在高频开关操作下仍能保持较低的开关损耗，从而提升整体系统效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，使其不仅可用于工业和消费类电子产品，也可用于汽车电子中的辅助电源系统或车载设备中。

参数

型号：R6018ANX
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：60 V
　　最大连续漏极电流(ID)：18 A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：72 A
　　最大栅源电压(VGS)：±20 V
　　导通电阻(RDS(on)_max)：4.3 mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on)_max)：5.3 mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：27 nC @ VDS=30V, ID=9A
　　输入电容(Ciss)：2080 pF @ VDS=30V
　　输出电荷(Coss)：560 pF @ VDS=30V
　　反向恢复时间(trr)：22 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55 ~ +150 ℃
　　封装形式：HSON-8 (MLP8)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

特性

R6018ANX采用ROHM专有的先进沟道MOSFET制造工艺，显著优化了载流子迁移率与单元密度，在60V耐压等级下实现了极低的导通电阻。其典型RDS(on)值仅为4.3mΩ（在VGS=10V条件下），这有助于大幅降低传导损耗，提高电源系统的整体能效。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg = 27nC），意味着在高频开关应用中所需的驱动功率更小，同时减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于工作频率较高的DC-DC变换器和同步整流电路。
　　R6018ANX具有良好的热设计匹配性，得益于HSON-8封装底部集成的散热焊盘结构，能够通过PCB上的热过孔有效将热量传导至大面积铜箔区域，从而实现高效的热管理。这种封装方式不仅提升了功率密度，也增强了长期运行的可靠性。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统鲁棒性。
　　器件的阈值电压（Vth）典型值约为2.3V，确保在逻辑电平信号驱动下也能可靠开启，兼容大多数PWM控制器的输出电平。体二极管的反向恢复时间较短（trr=22ns），可减少反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，尤其在半桥或全桥拓扑中表现优异。R6018ANX通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力等严苛测试条件下均能满足汽车级应用的要求，适用于车载充电器、EPS助力转向系统电源模块等场景。综合来看，R6018ANX是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适合追求高效率与小型化的现代电力电子设计。

应用

R6018ANX广泛应用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于同步降压型DC-DC转换器、非隔离式POL（Point-of-Load）电源模块、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关、电动工具电源模块以及工业自动化设备中的电机驱动电路。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效能电源设计的理想选择。在通信基础设施中，该器件可用于服务器电源、网络交换机和路由器的中间总线转换器。此外，凭借其通过AEC-Q101认证的优势，R6018ANX也被广泛用于汽车电子领域，如车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电单元、车内照明LED驱动电源以及电动汽车的辅助电源系统（Auxiliary Power Supply）。由于其封装紧凑且散热性能良好，也非常适用于空间受限的便携式医疗设备、无人机电源管理和智能家居控制板等新兴应用场景。其高频响应特性和低噪声表现，也有助于满足EMI敏感环境下的设计需求。