型号：R6015ENJ
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A（TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on) max）：85mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on) typ）：70mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压（Vth min）：2.0V
　　阈值电压（Vth max）：4.0V
　　输入电容（Ciss）：920pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：280pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ VDS=25V
　　栅极电荷（Qg）：17nC @ VDS=100V, ID=8A
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：SOP-8（表面贴装）
　　功耗（PD）：20W（TC=25℃）

R6015ENJ的核心特性之一是其低导通电阻性能，在VGS=10V条件下，典型RDS(on)仅为70mΩ，最大不超过85mΩ，这显著减少了在大电流导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。这一特性使其特别适用于对能效要求较高的DC-DC降压转换器或同步整流拓扑中作为主开关或整流元件使用。得益于先进的沟槽栅技术，该器件实现了更高的单位面积载流能力，同时优化了电流传导路径，进一步降低导通压降。
　　另一个关键特性是其优异的开关速度。R6015ENJ具有较低的输入电容（Ciss=920pF）和反向传输电容（Crss=40pF），这意味着在高频PWM控制下所需的驱动功率较小，且能够实现更快的上升和下降时间，开启延迟时间为12ns，关断延迟时间为28ns，有助于减少开关过程中的交越损耗，提升电源系统的动态响应能力。这对于需要工作在数百kHz甚至更高频率的开关电源设计至关重要。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和可靠性。SOP-8封装虽然体积小，但通过优化引脚布局和内部连接结构，提供了较好的散热路径，配合PCB上的大面积铜箔铺设可有效将热量传导出去，确保长时间运行时结温处于安全范围内。器件的工作结温可达+150℃，支持宽温环境下的稳定工作，适用于工业级应用场景。
　　此外，R6015ENJ内置一定的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或感性负载关断时吸收一定能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性。其栅氧化层经过严格工艺控制，保证了±20V的栅源电压耐受能力，避免因驱动信号波动导致击穿风险。综合来看，这些电气与物理特性使R6015ENJ成为中小功率电力电子系统中理想的功率开关选择。

R6015ENJ广泛应用于多种中低压功率开关场合，尤其适合需要高效、小型化设计的电源系统。在同步整流型DC-DC转换器中，它常被用作下管或上管开关，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率，常见于服务器电源、通信设备电源模块及便携式电子产品供电单元中。
　　在电机驱动领域，R6015ENJ可用于驱动直流有刷电机或步进电机的H桥电路中，作为低端或高端开关使用，提供快速响应和低发热表现，适用于家电控制板、办公自动化设备和工业控制模块。
　　该器件也适用于LED恒流驱动电源中的开关调节部分，特别是在升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑中担任主开关角色，凭借其快速开关能力和良好热性能保障长期点亮稳定性。
　　此外，R6015ENJ还可用于电池管理系统中的充放电通路控制、热插拔电路保护、负载开关以及各种电源多路复用切换场景。由于其SOP-8封装便于自动化贴装，因此非常适合现代高密度PCB布局和回流焊生产工艺，广泛服务于消费电子、工业控制、网络通信和汽车电子外围电源管理等领域。

R6015KNJ
　　SI4115EDY-T1-E3
　　FDS6680A