R6000825XXYA 时间：2025/8/7 0:20:19 阅读：17

R6000825XXYA 是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电机驱动器和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8.5A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：19mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：14nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

R6000825XXYA MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术和低电阻设计，具有出色的导通性能和热稳定性。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：Rds(on)为19mΩ，在高电流应用中可显著降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. **高电流处理能力**：最大漏极电流为8.5A，适用于中高功率电源转换应用。
　　3. **高速开关性能**：栅极电荷（Qg）为14nC，支持快速开关操作，降低开关损耗。
　　4. **高耐压能力**：漏源电压最大可达60V，适用于多种电源拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器。
　　5. **优异的热管理**：采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热传导性能，可在高功率密度环境中稳定运行。
　　6. **可靠性高**：工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

R6000825XXYA MOSFET广泛应用于以下领域：
　　1. **DC-DC转换器**：适用于Buck、Boost和反激式转换器，提供高效能的电压调节解决方案。
　　2. **电机驱动器**：在电机控制电路中作为功率开关使用，支持高效能的电机驱动。
　　3. **负载开关**：用于控制电源路径，实现低损耗的电源管理。
　　4. **电池管理系统**：在电池充放电电路中作为关键的功率开关元件。
　　5. **汽车电子**：适用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用场景。
　　6. **工业自动化**：用于PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源设备，提供可靠的功率控制。