R5G05000N200NS 时间：2025/5/16 11:26:32 阅读：10

R5G05000N200NS 是一款由罗姆（ROHM）生产的 N 沱场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 Trench 工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等应用领域。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合用于对空间和效率有较高要求的设计。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：3.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电荷：145nC（典型值）
　　输入电容：3360pF（典型值）
　　开关时间：ton=90ns，toff=49ns（典型值）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

R5G05000N200NS 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时仅为 3.7mΩ，能够有效降低传导损耗。
　　2. 高额定电压（200V），适合各种高压应用场景。
　　3. 大电流承载能力（50A 连续漏极电流），可满足高功率应用需求。
　　4. 快速开关特性，栅极电荷较低（145nC 典型值），有助于提高系统效率。
　　5. 小型化封装（LFPAK88），节省 PCB 空间并提供良好的热管理性能。
　　6. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应各种恶劣环境条件。

应用

R5G05000N200NS 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管。
　　2. DC-DC 转换器中作为同步整流 MOSFET 或高频开关元件。
　　3. 电机驱动电路中用于控制电机的启停和调速。
　　4. 逆变器、太阳能转换系统中的功率开关。
　　5. 各种工业设备中的功率转换和控制模块。
　　6. 汽车电子系统中，如车载充电器、电池管理系统等。