时间：2025/4/25 18:49:28
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R5478N218CD-TR-FF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源转换和电机驱动场景。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻、快速开关特性和优异的热性能，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于多种工业和消费类电子应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能和机械稳定性。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：50A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：120nC
输入电容：3500pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
R5478N218CD-TR-FF 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适合高频 PWM 应用。
3. 高电流承载能力，能够满足大功率负载的需求。
4. 优异的热稳定性和耐用性，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣条件下的应用需求。
这款功率 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率开关组件。
RFP50N06LE, IRF540N, FDP5060N
