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R5478N193EC-TR-FF 发布时间 时间:2025/6/26 16:40:49 查看 阅读:6

R5478N193EC-TR-FF 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型器件。该元器件广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等场景中,具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。
  该型号特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的应用场合,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:超高速
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:TO-263

特性

R5478N193EC-TR-FF 的主要特点是其具备极低的导通电阻(仅 2.5mΩ),这使得它在高电流应用中能够显著减少功耗并提高效率。
  此外,该器件的栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度,从而减少开关损耗。
  其 TO-263 封装形式也使其易于集成到各种 PCB 设计中,并提供良好的散热性能。
  该 MOSFET 具备强大的过流保护能力和稳健的电气特性,确保在极端条件下的可靠运行。

应用

这款 MOSFET 广泛适用于多种工业和消费电子领域,包括但不限于以下应用场景:
  - 开关电源(SMPS)
  - DC-DC 转换器
  - 负载开关
  - 电机驱动
  - 工业控制设备
  - 电池管理系统
  - 通信电源
  R5478N193EC-TR-FF 凭借其优异的性能,是许多高功率密度设计的理想选择。

替代型号

R5478N193EC-TR, R5478N193ECS-TR

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