时间：2025/6/26 16:40:49
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R5478N193EC-TR-FF 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型器件。该元器件广泛应用于电源管理、开关电路和功率转换等场景中，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能等特点。
该型号特别适合用于需要高效能和小尺寸设计的应用场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：26A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：TO-263
R5478N193EC-TR-FF 的主要特点是其具备极低的导通电阻（仅 2.5mΩ），这使得它在高电流应用中能够显著减少功耗并提高效率。
此外，该器件的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
其 TO-263 封装形式也使其易于集成到各种 PCB 设计中，并提供良好的散热性能。
该 MOSFET 具备强大的过流保护能力和稳健的电气特性，确保在极端条件下的可靠运行。
这款 MOSFET 广泛适用于多种工业和消费电子领域，包括但不限于以下应用场景：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 负载开关
- 电机驱动
- 工业控制设备
- 电池管理系统
- 通信电源
R5478N193EC-TR-FF 凭借其优异的性能，是许多高功率密度设计的理想选择。
R5478N193EC-TR, R5478N193ECS-TR
