时间：2025/5/10 10:35:57
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R5460N214AF-TR-FE 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的开关特性和耐热性能，适用于电源管理、电机驱动和消费类电子设备等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合在空间受限的设计中使用。其卓越的电气特性使其成为众多高效能应用的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.2A
导通电阻(Rds(on))：14mΩ
总电荷(Qg)：15nC
栅极-源极电荷(Qgs)：7nC
栅极-漏极电荷(Qgd)：2nC
输入电容(Ciss)：155pF
输出电容(Coss)：38pF
反向传输电容(Crss)：15pF
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
R5460N214AF-TR-FE 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更少的传导损耗，提升了系统效率。
2. 高速开关能力使得该器件非常适合高频开关应用。
3. 小型 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，并简化了设计过程。
4. 优异的热性能确保在高功率密度下的可靠运行。
5. 静电放电 (ESD) 保护功能增强了器件的耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
R5460N214AF-TR-FE 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的电源管理。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 工业控制和自动化设备中的信号切换。
5. 各种便携式设备的电池管理解决方案。
6. LED 驱动器中的开关组件。
RFP50N06LE, IRF540N, FDP5501
