时间：2025/5/7 17:23:33
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R5460N208AF-TR-FE 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，专为高频率开关应用设计。该器件采用了先进的制造工艺，在确保低导通电阻的同时，优化了开关性能和热稳定性。它通常用于电源管理、电机驱动以及各种工业自动化控制领域。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效功率转换的场景。其出色的电气特性使其成为众多电子设备的理想选择。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：11A
导通电阻（典型值）：2.7mΩ
栅极电荷：32nC
输入电容：1140pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
R5460N208AF-TR-FE 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高效率。
2. 高速开关能力，能够支持高频操作，适合现代开关电源设计。
3. 具备出色的热稳定性和可靠性，即使在极端温度条件下也能保持良好的性能。
4. 小封装尺寸，便于电路板布局，并节省空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换。
2. DC-DC 转换器及负载点电源模块。
3. 各类电机驱动系统，如无刷直流电机控制。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号调节。
5. 可再生能源系统的逆变器和电池管理系统。
6. 汽车电子中的辅助功能模块，例如电动座椅驱动等。
R5460N208BF-TR-FE, R5460P208AF-TR-FE
