时间：2025/5/10 10:15:37
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R5434D402AA-TR-FE 是一款由知名半导体制造商生产的陶瓷电容器。该器件采用多层陶瓷工艺制造，具有体积小、频率特性优异和可靠性高的特点。它广泛应用于高频电路、滤波器以及信号调理等场景。R5434D402AA-TR-FE 的封装形式为chip型，适合表面贴装技术（SMT），便于大规模自动化生产。
该型号中的关键参数表明其容量为4.7pF，额定电压为50V，并具备低ESR（等效串联电阻）与高Q值，使其非常适合用于射频（RF）和微波应用中。
容量：4.7pF
额定电压：50V
耐压等级：50V
容差：±1%
尺寸：0603 (公制 1608)
温度特性：C0G (NP0)
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：Chip
材料类型：陶瓷
ESL：≤0.3nH
ESR：≤0.05Ω
R5434D402AA-TR-FE 使用了C0G（NP0）类陶瓷介质，这种材料的特点是具有极高的稳定性和低温度漂移，在整个温度范围内表现出非常稳定的电容值变化。此外，由于采用了先进的多层陶瓷技术，这款电容器的寄生参数如ESR和ESL都非常低，从而保证了其在高频应用中的卓越性能。
该器件支持表面贴装工艺，能够满足工业级和消费级电子产品的严格要求。同时，其出色的频率响应和低插入损耗使得它成为通信设备、无线模块以及其他高频电路的理想选择。
除了稳定性好外，R5434D402AA-TR-FE 还具有较长的使用寿命和较强的抗机械冲击能力，适用于各种复杂环境下的应用需求。
该电容器主要用于以下领域：
1. 射频（RF）和微波电路中的滤波、耦合及匹配功能。
2. 高速数字电路中的电源去耦和噪声抑制。
3. 振荡器和晶体振荡电路中的负载电容。
4. 工业控制和医疗设备中的信号调节电路。
5. 通信基站、卫星接收器等高端电子系统的前端处理部分。
R5434D402AA-TR-FE 凭借其高可靠性和优异的电气性能，可确保上述应用场景下的电路正常运行并提供高质量的信号传输。
R5434D402AA-TR, C0402C4P7A5GACTU, GRM1555C1H4P7J01D
