工作电压范围：0.7V ~ 6.0V
　　检测电压：1.1V（固定，精度±1.0%）
　　静态电流：典型值0.45μA（@ VDD = 3V）
　　输出类型：N沟道开漏输出（N-ch Open Drain）
　　复位延迟时间：典型值160ms（内置电容，无需外部元件）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SOT-23-5（SNT-5A）
　　输出低电平电压：最大值0.4V（@ IOL = 1.0mA）
　　阈值温度漂移：±100ppm/°C（典型值）
　　响应时间：当VDD < VDET时，输出立即变为低电平；当VDD ≥ VDET时，经过延迟时间后输出变为高电平。

R5402N110KD的核心特性之一是其超低功耗设计，静态电流仅为0.45μA，使其非常适合用于电池供电的便携式设备，如智能手表、无线传感器节点、可穿戴设备和物联网终端等。这种极低的电流消耗显著延长了电池寿命，同时不会牺牲电压检测的精度和响应速度。该器件在电源电压低至0.7V时仍能正常工作，这使得它能够在电池电量极低的情况下继续提供有效的复位保护，提高了系统的可靠性。
　　另一个关键特性是其高精度的电压检测能力。R5402N110KD的检测电压设定为1.1V，精度高达±1.0%，这意味着在任何工作条件下，其触发复位的电压偏差极小，确保系统在电压波动时仍能稳定运行。该精度通过激光修调技术实现，并在整个工作温度范围内保持稳定。此外，器件内部集成了延迟电路，复位延迟时间为160ms（典型值），避免了因短暂的电压波动而导致的误复位，提高了系统的抗干扰能力。
　　R5402N110KD采用N沟道开漏输出结构，允许用户通过外部上拉电阻连接到任意逻辑电平，兼容3.3V、5V甚至1.8V的数字系统，增强了其接口灵活性。开漏输出还支持多个复位信号的“线与”连接，便于构建复杂的复位管理电路。其SOT-23-5小型封装不仅节省PCB空间，还具备良好的热稳定性和机械强度，适合自动化贴片生产。
　　该器件具备出色的温度稳定性，阈值电压的温度系数仅为±100ppm/°C，确保在极端温度环境下仍能提供一致的性能。此外，R5402N110KD具有快速响应能力，当电源电压下降至1.1V以下时，输出立即拉低，迅速通知系统进入安全状态；当电压恢复后，经过160ms延迟再释放复位信号，确保微控制器有足够时间完成稳定启动。这些特性共同构成了一个高可靠性、低功耗、小尺寸的电压监控解决方案。

R5402N110KD广泛应用于各类需要电源电压监控的电子系统中，尤其是在便携式和低功耗设备领域表现出色。典型应用包括电池供电的嵌入式系统，如智能手环、健康监测设备、远程传感器和无线通信模块。在这些设备中，R5402N110KD用于监控电池电压，当电量不足时及时触发复位，防止MCU因电压过低而运行异常或数据丢失。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于PLC模块、数据采集设备和现场仪表，确保在电源波动或断电重启时微处理器能够可靠复位，避免程序跑飞或寄存器状态错误。在消费类电子产品中，如智能家居设备、电子门锁、遥控器和电子书阅读器，R5402N110KD提供了一种成本低、体积小且高效的复位解决方案。
　　此外，R5402N110KD也适用于需要多电压域监控的复杂系统。例如，在混合信号电路中，它可以与其他电压检测器配合使用，分别监控模拟和数字电源轨。由于其开漏输出特性，多个R5402N110KD的输出可以并联连接，实现“或”逻辑，统一生成系统复位信号。在汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统、传感器模块）中，该器件也能满足AEC-Q100以外的工业级可靠性要求。
　　在开发板和评估系统中，R5402N110KD常被用作标准复位电路的一部分，帮助工程师验证MCU的启动行为和电源完整性。其无需外部延迟电容的设计大大简化了原型开发过程，缩短了产品上市时间。总之，R5402N110KD凭借其高精度、低功耗和小封装优势，在现代电子系统中扮演着关键的“守护者”角色，保障系统稳定运行。

R3111N111A-TR-FE
　　R1120N111A-TR-FE
　　MAX809LSEUS-T
　　XC6152A11AGR-G