工作电压范围：1.0V ~ 6.0V
　　检测电压精度：±1.0%（在常温25°C下）
　　检测电压值：4.1V（固定）
　　复位延迟时间：可通过外部电容调节或内部固定（视具体型号配置）
　　输出类型：N沟道开漏输出
　　工作电流：典型值约1.0μA（低功耗模式）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN1020-4 或 SOT-23-5（根据具体版本）
　　静态电流：≤ 1.2μA
　　响应时间：典型值小于10ms
　　电压温度系数：±100ppm/°C 典型值

R5323K041B-TR具备高精度电压检测能力，其核心采用CMOS工艺制造，确保了极低的功耗和高稳定性。该芯片内置高精度带隙基准电压源，能够在宽温度范围和输入电压范围内保持±1.0%的检测精度，这对于需要可靠电源监控的应用至关重要。其N沟道开漏输出结构允许灵活连接到不同逻辑电平的微控制器，只需外接上拉电阻即可适配3.3V或5V系统。该器件具有极低的静态电流消耗，典型值仅为1.0μA，使其非常适合电池供电设备，如可穿戴设备、物联网终端和远程传感器节点。
　　该芯片还具备快速响应特性，在电源电压跌落至阈值以下时，能够在数毫秒内触发复位信号，有效防止微处理器或数字电路因电压不稳而发生错误操作或数据损坏。同时，其复位延迟时间可以通过外部电容进行编程设置，增强了设计灵活性，满足不同系统对复位保持时间的需求。R5323K041B-TR具有良好的抗噪声性能，集成内部滤波机制，避免因瞬态电压波动导致误触发。此外，该器件采用小型化封装，节省PCB空间，同时支持高密度贴装，符合现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。
　　在可靠性方面，R5323K041B-TR通过了严格的工业级认证，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的工业控制系统。其长期稳定性优异，经过老化测试验证，能够在长时间运行中保持检测电压不变，减少系统维护成本。该芯片还具备高抗ESD能力（HBM模式下可达4kV以上），提升了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。整体而言，R5323K041B-TR是一款集高精度、低功耗、小尺寸与高可靠性于一体的电压检测IC，是现代电子系统中理想的电源监控解决方案。

R5323K041B-TR广泛应用于各类需要电压监控和系统复位功能的电子设备中。在便携式电子产品中，如智能手表、无线耳机、蓝牙模块等，该芯片用于监测电池电压，当电量不足时及时发出警告或触发关机保护，延长电池寿命并防止过放电。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）中，它常作为外部复位电路的核心元件，确保MCU在上电、掉电或电压异常时能够可靠复位，避免程序跑飞或数据丢失。
　　在工业控制领域，该器件可用于PLC、传感器模块、远程I/O模块等设备中，实现对供电电源的实时监控，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。在通信设备中，如路由器、交换机、基站模块等，R5323K041B-TR可用于多路电源的上电顺序监控与故障保护。此外，在汽车电子辅助系统（如车载记录仪、胎压监测系统）中，该芯片也发挥着重要作用，提供可靠的电源管理支持。
　　由于其低功耗特性，该芯片特别适合用于能量采集系统和超低功耗物联网节点，这些系统往往依赖微弱能源运行，必须精确控制电源状态。R5323K041B-TR能够在系统电压下降到危险水平前及时发出中断信号，使主控芯片有机会保存关键数据并进入休眠模式。总之，凡是对电源稳定性有要求的场合，R5323K041B-TR都能提供有效的电压监控与保护功能。

R3423K041B-TR
　　R1141Q411B-TR
　　XC6139B41AGR-G