R459003.UR 时间：2025/12/26 22:50:15 阅读：11

R459003.UR 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET），专为高频、高效率的电源转换应用而设计。该器件基于先进的氮化镓半导体技术，相较于传统的硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和热性能方面具有显著优势。R459003.UR 采用紧凑型表面贴装封装，适用于空间受限但对功率密度要求极高的应用场景。其设计目标是满足现代电源系统对小型化、高效化和高可靠性的需求，广泛应用于数据中心电源、无线充电、激光驱动器、射频能量以及高端计算设备中的DC-DC转换器等。该器件具备低栅极电荷和低输出电容，能够在数百千赫兹至数兆赫兹的频率下高效运行，从而显著减小磁性元件和电容的体积，提升整体系统能效。此外，R459003.UR 内部结构优化以减少寄生参数，提高了开关瞬态响应能力，并降低了电磁干扰（EMI）风险。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于自动化SMT生产线。由于氮化镓材料的宽带隙特性，R459003.UR 在高温环境下仍能保持良好的电气性能和可靠性，适合在严苛工况下长期稳定运行。

参数

型号：R459003.UR
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：20 A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5 V（典型值）
　　最大栅源电压（Vgs max）：+6 V / -4 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：220 pF（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管）
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：Land Grid Array (LGA)，8引脚
　　安装方式：表面贴装
　　峰值脉冲电流（Idm）：60 A
　　开关延迟时间（td(on)）：5 ns（典型值）
　　关断延迟时间（td(off)）：8 ns（典型值）

特性

R459003.UR 的核心优势在于其采用的增强型氮化镓（eGaN）技术，实现了远超传统硅基MOSFET的性能表现。氮化镓材料具有更高的电子迁移率和更宽的禁带宽度，使其在高频开关条件下依然能够保持极低的导通损耗和开关损耗。该器件的导通电阻仅为3.5 mΩ，在100V耐压等级下提供了卓越的电流处理能力，有助于降低传导过程中的能量损耗，提升系统整体效率。其极低的输入和输出电容显著减少了充放电所需的能量，使得器件可在MHz级别的高频下工作，从而支持使用更小的外围无源元件，实现更高功率密度的设计。
　　该器件为增强型（常关型）设计，栅极驱动逻辑与标准硅器件兼容，简化了驱动电路设计，降低了系统开发难度。其无体二极管的物理结构避免了传统MOSFET中因反向恢复电荷导致的额外损耗和电压尖峰问题，特别适用于硬开关和高频同步整流拓扑。此外，R459003.UR 的封装采用低寄生电感布局，优化了源极和栅极回路的电感，提升了开关瞬态稳定性，减少了振铃现象，有助于降低EMI并提高系统可靠性。器件的工作结温可达150°C，具备出色的热稳定性，配合适当的散热设计可长期稳定运行于高温环境。所有这些特性共同使R459003.UR 成为下一代高效电源系统的理想选择。

应用

R459003.UR 广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统。在数据中心和服务器电源中，它可用于多相VRM（电压调节模块）设计，支持CPU和GPU的动态负载响应，提升能效并降低散热成本。在无线充电系统中，其高频开关能力支持谐振拓扑（如E类或LLC），实现高效率的能量传输，适用于手机、可穿戴设备及电动汽车的无线充电板。该器件也适用于激光二极管驱动器，特别是在需要纳秒级脉冲响应的工业和医疗激光设备中，其快速开关特性确保精确的电流控制。此外，在射频能量应用中，如等离子体生成、加热和照明，R459003.UR 可作为高效的射频功率开关，工作在数百kHz至数MHz频段，提供稳定的高频输出。在电信和网络设备的中间总线转换器（IBC）和点负载电源（POL）中，该器件有助于实现小型化、高效率的DC-DC转换方案。同时，其优异的热性能和可靠性也使其适用于航空航天、工业自动化和高端测试仪器等严苛环境下的电源设计。