R452005.MRL 时间：2025/12/26 22:32:34 阅读：15

R452005.MRL是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具有低导通电阻、高效率和优良的热稳定性等优点。R452005.MRL特别适用于DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及各种高密度电源系统。其封装形式为小型化表面贴装型，有助于节省PCB空间并提高整体系统集成度。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅极氧化层设计，增强了在严苛工作环境下的可靠性。
　　这款产品的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，符合工业级应用标准，并且满足RoHS环保要求，无铅且符合绿色电子产品的规范。R452005.MRL通过优化内部结构设计，在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效表现。由于其出色的电气性能和紧凑的封装尺寸，它成为现代便携式电子产品和高效电源模块中的理想选择之一。

参数

型号：R452005.MRL
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：20 A（@ TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3 mΩ（@ VGS=10 V, ID=10 A）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5 mΩ（@ VGS=4.5 V, ID=10 A）
　　阈值电压（Vth）：1.2 V ~ 2.3 V
　　输入电容（Ciss）：3390 pF（@ VDS=20 V, VGS=0 V, f=1 MHz）
　　输出电容（Coss）：1020 pF
　　反向传输电容（Crss）：78 pF
　　栅极电荷（Qg）：43 nC（@ VGS=10 V）
　　功耗（Ptot）：150 W（@ TC=25°C）
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HPAK（SMT）

特性

R452005.MRL的核心特性在于其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提升了系统的整体效率。该MOSFET在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为5.3mΩ，在VGS=4.5V时为6.5mΩ，表明其不仅适用于标准驱动电压场景，也能在较低栅极驱动条件下保持良好性能，兼容3.3V或5V逻辑控制电路。这种低RDS(on)得益于ROHM专有的沟道工艺和芯片结构优化，能够在不牺牲可靠性的情况下实现更高的电流密度。
　　该器件具备优异的开关特性，输入电容（Ciss）为3390pF，栅极电荷（Qg）仅为43nC，这意味着它可以在高频开关环境中快速开启与关断，减少开关延迟和能量损耗，非常适合用于高频DC-DC变换器、同步整流等对动态响应要求较高的场合。同时，其反向传输电容（Crss）低至78pF，有效抑制了米勒效应，提高了抗噪声干扰能力，避免因寄生反馈导致误触发。
　　R452005.MRL采用HPAK表面贴装封装，具有良好的热传导性能，底部带有裸露焊盘，便于通过PCB散热，从而提升功率处理能力。该封装还支持自动化贴片生产，适合大规模制造。此外，该MOSFET经过严格测试，具备高耐用性，包括100%雪崩能量测试，确保在瞬态过压或电感负载突变情况下仍能安全运行。综合来看，R452005.MRL在性能、可靠性和封装设计方面均表现出色，是高性能电源设计中的优选器件。

应用

R452005.MRL广泛应用于多种高效率电源转换系统中。首先，在DC-DC降压（Buck）转换器中，它常被用作主开关管或同步整流管，凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低传导和开关损耗，提高转换效率，尤其适用于服务器电源、通信设备电源模块等对能效要求高的场景。
　　其次，在电池供电设备如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗仪器中，该MOSFET可用于负载开关或电源路径管理，实现对不同功能模块的上电/断电控制，防止浪涌电流并延长电池续航时间。其高电流承载能力和小封装体积非常契合这类紧凑型设计需求。
　　此外，R452005.MRL也适用于电机驱动电路、LED驱动电源、热插拔控制器以及工业控制系统中的电源开关模块。在这些应用中，其高可靠性、宽温度范围和强抗干扰能力保障了系统长期稳定运行。由于支持表面贴装工艺，该器件还适用于自动化生产线，有助于提升制造效率和产品一致性。因此，无论是消费类电子还是工业级设备，R452005.MRL都能提供可靠的功率开关解决方案。