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R3604-3DR 发布时间 时间:2025/12/29 11:11:32 查看 阅读:9

R3604-3DR是一款由Renesas(瑞萨)公司生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)驱动器集成电路,主要用于电源管理和电机控制应用。该器件采用先进的BiCMOS工艺制造,具有高驱动能力和低功耗特性。R3604-3DR特别适用于需要高效率和高可靠性的开关电源、直流电机驱动器以及工业自动化设备中。该芯片采用16引脚SSOP封装,便于在各种紧凑型电路设计中使用。

参数

类型:MOSFET驱动器
  封装类型:SSOP
  引脚数:16
  工作电压范围:4.5V至18V
  最大输出电流:1.5A(典型值)
  输出高/低驱动能力:对称驱动
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  传播延迟:典型值15ns
  上升/下降时间:典型值8ns
  输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
  最大工作频率:100kHz以上
  封装尺寸:5.0mm x 6.4mm
  安装类型:表面贴装
  最大功耗:1.0W

特性

R3604-3DR是一款高性能MOSFET驱动器,专为高效能电源转换应用而设计。其主要特性包括宽广的工作电压范围(4.5V至18V),这使得它能够在多种电源环境下稳定工作,适用于从低压DC-DC转换器到中高压电机驱动器的广泛应用场景。该器件内置的高侧和低侧驱动器具有对称的驱动能力,能够提供高达1.5A的输出电流,确保了MOSFET的快速开关操作,从而降低了开关损耗并提高了系统效率。此外,R3604-3DR具备非常低的传播延迟(典型值为15ns)和快速的上升/下降时间(典型值8ns),使其适用于高频开关应用,如同步整流器和高频DC-DC转换器。
  该芯片采用BiCMOS工艺制造,结合了CMOS的低功耗特性和双极型晶体管的高驱动能力,能够在保持低静态电流的同时提供高效的驱动性能。其输入端兼容TTL和CMOS电平,简化了与微控制器或数字信号处理器(DSP)的接口设计。R3604-3DR还集成了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)和交叉传导保护,确保在电源电压不足或异常情况下关闭输出,防止MOSFET损坏。这种高集成度的设计不仅减少了外围元件的数量,还提高了系统的可靠性和稳定性。
  在热管理方面,R3604-3DR采用了高效的热设计,确保在高负载条件下也能保持良好的散热性能。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合在各种工业环境和恶劣条件下使用。

应用

R3604-3DR广泛应用于各种需要高效MOSFET驱动的场合。其主要应用领域包括开关电源(SMPS)、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器、工业自动化控制系统以及电池管理系统(BMS)。在电源转换系统中,R3604-3DR可以驱动高侧和低侧MOSFET,实现高效的能量转换。在电机控制应用中,它能够提供精确的驱动信号,确保电机运行平稳并减少能耗。此外,该器件也适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和电动工具等对功率转换效率要求较高的设备。

替代型号

R3604-3DR的替代型号包括R3604-3DP、R3604-3DF 和 IR2104S。这些型号在功能和电气特性上相似,可在设计中作为替代选择。

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