类型：增强型GaAs FET
　　工艺技术：GaAs MESFET
　　工作频率范围：4 GHz 至 12 GHz
　　增益：典型值14 dB @ 6 GHz
　　噪声系数：典型值1.2 dB @ 6 GHz
　　漏极电流：典型值35 mA
　　栅极电压：-0.7 V 至 0 V 可调
　　输出功率P1dB：典型值+15 dBm @ 6 GHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：陶瓷金属封装（如SOT-89或类似）
　　输入/输出阻抗：50 Ω 典型
　　隔离度：典型值30 dB @ 6 GHz
　　静电放电（ESD）耐受能力：Class 1C 或更高
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

R3604-3的核心优势在于其基于砷化镓（GaAs）材料的半导体工艺，这种材料相较于传统的硅基器件，在高频条件下展现出更低的寄生效应和更高的电子迁移率，从而显著提升了器件在微波频段的性能表现。该器件作为增强型场效应管，其栅极阈值电压设计合理，能够在较低的偏置电压下实现稳定的导通状态，这不仅降低了系统电源设计的复杂性，也提高了能效比。其典型噪声系数仅为1.2 dB，在6 GHz频率下仍能保持优异的信噪比表现，使其成为雷达接收前端、卫星通信链路以及测试测量设备中低噪声放大器（LNA）的理想选择。
　　该器件在增益平坦度方面表现出色，全频带内增益波动小，确保信号在整个操作频段内的一致放大，减少后续信号处理的校准需求。同时，R3604-3具备良好的线性特性，三阶交调点（IP3）较高，能够有效抑制非线性失真，提升多载波系统的动态范围。其输入和输出端口均设计为接近50欧姆阻抗，便于与标准射频传输线直接连接，简化了PCB布局和匹配网络的设计难度。陶瓷金属封装不仅提供了优良的热传导路径，还能有效屏蔽外界电磁干扰，保证器件在高温、高湿或强电磁环境下长期稳定运行。
　　此外，R3604-3具备较强的抗静电能力，符合Class 1C ESD标准，减少了生产装配过程中的失效风险。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于航空航天、军事装备等极端环境应用。器件的高隔离度特性进一步降低了反馈引起的振荡可能性，增强了电路稳定性。总体而言，R3604-3是一款集低噪声、高增益、宽带宽和高可靠性于一体的高性能射频FET，适用于对性能要求极为严苛的高端射频系统设计。

R3604-3主要应用于高频、高性能的射频和微波系统中，尤其适合作为低噪声放大器（LNA）使用于接收链路的前端模块。其典型应用场景包括但不限于X波段雷达系统中的射频前端，用于增强微弱回波信号的同时最小化自身引入的噪声，从而提高目标探测精度与距离分辨率。在卫星通信地面站和星载转发器中，R3604-3可用于Ku波段以下的上变频或下变频通道中的增益级联放大，保障信号完整性。此外，该器件也广泛用于点对点微波通信系统，如远程基站之间的高速数据链路，支持QPSK、QAM等调制格式下的稳定传输。
　　在测试与测量领域，R3604-3常被集成于频谱分析仪、矢量网络分析仪或信号发生器的前端电路中，用以提升仪器的灵敏度和动态范围，确保精确的信号捕获能力。其宽带特性也使其适用于宽带侦察接收机、电子战（EW）系统以及软件定义无线电（SDR）平台，在这些系统中需要覆盖多个频段并保持一致的增益响应。在无线基础设施方面，尽管现代5G大规模MIMO系统更多采用集成化解决方案，但在某些定制化毫米波预研系统或外场测试平台中，R3604-3仍可作为分立元件用于原型验证阶段的射频放大设计。
　　由于其高可靠性和耐环境能力，R3604-3也被选用于航空航天与国防项目，例如机载通信系统、导弹导引头前端以及无人飞行器（UAV）的数据链收发模块。在这些关键任务系统中，元器件的长期稳定性与抗干扰能力至关重要，而R3604-3的表现恰好满足此类严苛要求。总之，该器件凭借其卓越的射频性能和坚固的封装设计，已成为高端模拟射频电路中不可或缺的关键组件之一。

ATF-54143
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　　NE730227