类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：18A（@TC=70°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V，范围1.2V ~ 2.3V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值2.2mΩ @ VGS=10V；最大值2.9mΩ @ VGS=4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值2020pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：典型值620pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28ns
　　功率耗散（PD）：46W（@TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2020B

R3200K002B-TR采用了瑞萨先进的沟槽结构硅技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡，是高效能功率管理的理想选择。其核心优势之一在于超低的RDS(on)，在VGS=10V条件下最大仅为2.2mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景，如同步整流或高频率DC-DC变换器。这种低阻特性还能减少发热，从而提高系统的可靠性并简化散热设计。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC（@VGS=10V），有助于降低驱动电路的功耗，同时加快开关速度，减少开关过程中的能量损失。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在TC=70°C时仍可支持18A的连续漏极电流，满足多数中等功率电源模块的需求。
　　R3200K002B-TR所采用的DFN2020B封装不仅体积小巧（约2.0mm x 2.0mm），而且具有出色的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速导出，有效控制芯片工作温度。这种封装形式特别适合高密度布局的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。同时，该器件具备良好的抗雪崩能力和稳健的ESD保护特性，增强了在复杂电磁环境下的运行稳定性。其阈值电压范围适中，确保了在多种逻辑电平驱动下均可可靠开启，兼容3.3V或5V驱动信号。此外，该MOSFET的反向恢复电荷（Qrr）较小，体二极管恢复速度快，减少了在桥式电路中因反向恢复引起的交叉导通风险，提升了系统效率与安全性。综合来看，R3200K002B-TR凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源系统中的关键元件之一。

R3200K002B-TR广泛应用于各类需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器中的主开关或整流开关，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，用于为CPU、GPU或其他高性能处理器提供稳定的低压大电流供电。此外，它也常用于电池供电设备中的负载开关或热插拔控制电路，利用其低导通电阻来最小化电压降和功耗，延长电池续航时间。在便携式消费类电子产品如移动电源、无线耳机充电仓、智能手表等产品中，该器件可用于充放电路径的通断控制，实现高效的能量管理。
　　工业控制领域中，R3200K002B-TR可用于电机驱动电路中的H桥开关元件，驱动直流电机或步进电机，其快速开关能力和低损耗特性有助于提升控制精度和系统响应速度。在电信和网络设备中，该MOSFET可用于分布式电源架构中的POL（Point-of-Load）转换器，提供本地化稳压功能。此外，由于其良好的热性能和高电流能力，也可用于LED驱动电路中作为恒流调节开关，特别是在高亮度照明应用中表现优异。汽车电子方面，虽然该器件并非AEC-Q101认证产品，但在非车载关键系统如车载信息娱乐系统、辅助电源模块中也有潜在应用价值。总之，R3200K002B-TR凭借其优异的电气特性和紧凑封装，适用于几乎所有要求高效率、小体积和高可靠性的中低电压功率切换场合。

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　　 "R3200K002BSM-TR",
　　 "RJK03B3DPB-S",
　　 "SiSS108DN-T1-GE3",
　　 "CSD17313Q5",
　　 "FDMS7680S"
　　]