时间：2025/7/16 15:08:08
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R3111N131CTR 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及信号调节等领域。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要高效率和低功耗的设计场景。
R3111N131CTR 的封装形式为 TO-252（DPAK），能够承受较高的电流和电压，并具备良好的散热性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：2.6A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：0.09Ω
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
R3111N131CTR 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高电流承载能力，可满足大功率负载需求。
4. 稳定的工作温度范围，确保在极端环境下的可靠性。
5. 小巧的 DPAK 封装设计，节省 PCB 空间且便于安装。
6. 符合 RoHS 标准，环保无害。
该芯片广泛用于多种电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. LED 照明驱动模块。
4. 电池保护和管理系统。
5. 通信设备中的信号切换和调节电路。
6. 各类消费类电子产品中的功率管理单元。
R3111N131CT, R3111N131CR
