型号：R235XA
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　导通电阻RDS(on)：30mΩ（在VGS=10V时）
　　导通电阻RDS(on)：35mΩ（在VGS=4.5V时）
　　阈值电压（Vth）：1.0V～2.0V
　　输入电容（Ciss）：500pF（在VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz时）
　　输出电容（Coss）：190pF
　　反向传输电容（Crss）：50pF
　　栅极电荷（Qg）：10nC（在VDS=15V, ID=4.4A, VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：1W（在TA=25°C时）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C
　　封装类型：SOT-23

R235XA具备出色的导通性能与开关速度，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下可低至30mΩ，在VGS=4.5V时也仅为35mΩ，这使得在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提升整体系统效率。这一特性特别适用于电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，较低的RDS(on)意味着发热更少，有利于简化散热设计，尤其在紧凑型电子产品中具有重要意义。
　　该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，确保了稳定的电气特性和良好的热响应能力。其阈值电压范围为1.0V～2.0V，支持低电压逻辑信号直接驱动，兼容3.3V或5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，R235XA具有较快的开关速度，得益于其较低的栅极电荷（Qg=10nC）和输入电容（Ciss=500pF），能够实现高频开关操作，适用于DC-DC变换器等需要快速响应的应用场景。
　　在可靠性方面，R235XA具备高达150°C的最大工作结温，可在严苛环境下稳定运行。其SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，便于通过PCB布局进行有效散热。器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如适用版本），也可用于汽车电子中的非主控类电源管理模块。此外，该MOSFET具有良好的雪崩耐受能力和抗静电能力（HBM模型），增强了在瞬态电压冲击下的鲁棒性。所有这些特性共同使R235XA成为高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

R235XA广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表等，用于电池充放电控制、负载开关以及电源路径管理。在这些设备中，R235XA凭借其低导通电阻和小封装尺寸，能够在不增加电路板面积的前提下实现高效的能量传输。
　　此外，该器件常用于同步整流型DC-DC转换器中，作为低端或高端开关管，提升转换效率并减少热量产生。在LED驱动电路中，R235XA可用于PWM调光控制，实现精确的亮度调节。它也适用于电机驱动、继电器驱动以及各类I/O开关电路，特别是在需要由微控制器直接驱动的场合，其低阈值电压特性使其能够直接响应逻辑信号而无需额外驱动芯片。
　　在工业控制领域，R235XA可用于传感器电源控制、PLC模块中的信号切换以及低功率执行器驱动。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可用于汽车电子系统中的车载信息娱乐设备、车身控制模块和辅助电源单元。此外，在物联网设备、无线通信模块（如Wi-Fi、LoRa、NB-IoT模组）中，R235XA被用作使能开关，以实现模块的休眠与唤醒，从而优化系统功耗。总之，R235XA适用于任何需要小型、高效、可靠N沟道MOSFET的低压功率开关应用。

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