R208 时间：2025/9/4 0:52:51 阅读：7

R208 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率场效应晶体管（Power MOSFET），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效地处理高电流和高电压，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化设备等应用场景。R208 具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，是高性能功率开关的理想选择。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值，@VGS=10V）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247

特性

R208 的主要特性之一是其极低的导通电阻，能够在高电流条件下实现最小的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽栅结构和优化的硅芯片设计，确保了优异的开关性能和热稳定性。
　　R208 的高耐压能力使其在各种高功率应用中表现出色，能够承受较高的瞬态电压而不发生击穿。同时，其高栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高整体系统的能效。
　　该器件的封装形式为 TO-247，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度和良好热管理的设计。R208 的封装设计还具备较低的寄生电感，有助于提高高频开关操作的稳定性。
　　此外，R208 还具备良好的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全裕度，确保系统的可靠运行。

应用

R208 主要应用于需要高功率密度和高效率的电力电子设备中，例如服务器电源、通信电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器和工业电机驱动器等。
　　在服务器和通信电源系统中，R208 被广泛用于同步整流电路和DC-DC转换器，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功率损耗，提升整体系统效率。
　　在电动汽车领域，R208 可用于车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS），在高电流条件下提供稳定可靠的功率开关功能。其优异的热管理能力和高耐压特性，有助于提升电动汽车的能效和安全性。
　　此外，R208 还适用于工业电机驱动器和不间断电源（UPS）系统，能够在高负载和高频率工作条件下提供稳定的性能，满足工业自动化和能源管理系统的需求。