工作电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输出电压：2.0V（精度±2%）
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值2.0μA
　　关断电流：小于0.1μA
　　压差电压：典型值110mV（Iout=100mA）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP)1212-6
　　输出电容类型：陶瓷电容（推荐1.0μF以上）
　　保护功能：过流保护、热关断保护
　　控制方式：使能端（EN）控制
　　电源抑制比（PSRR）：70dB@1kHz（典型值）

R1211N002D-TR-MB具备多项先进特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其极低的静态电流（典型值仅为2.0μA）显著延长了电池供电设备的工作时间，特别适用于可穿戴设备、物联网终端、智能传感器等对功耗极为敏感的应用场合。其次，该LDO具有优异的动态响应能力，在负载电流快速变化时仍能维持稳定的输出电压，避免系统因电源波动而发生误操作或重启。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，并集成了PMOS导通晶体管，使得其在低压差条件下依然能够高效工作。当输出电流为100mA时，压差电压仅约110mV，这意味着即使输入电压接近输出电压，器件仍能保持稳定输出，从而提高了能源利用效率。
　　另一个关键特性是其高电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达70dB以上，有效滤除来自前级电源（如开关电源或电池噪声）的干扰信号，确保后级精密电路获得干净的供电电压。这对于射频模块、音频处理单元或ADC/DAC转换器尤为重要。
　　R1211N002D-TR-MB还配备了使能（Enable）引脚，允许用户通过外部逻辑信号控制LDO的开启与关闭，实现系统的低功耗管理模式。在关断模式下，电流消耗低于0.1μA，几乎不消耗电池能量。同时，内置的软启动功能可防止上电过程中产生过大的浪涌电流，保护电源系统和负载电路。
　　该器件支持使用小型陶瓷电容器（最小推荐1.0μF）作为输出电容，不仅减小了PCB占用面积，而且提升了频率响应特性。DFN(PLP)1212-6的小型封装进一步满足了现代电子产品微型化的需求。综合来看，R1211N002D-TR-MB是一款高性能、高可靠性的线性稳压器，适合用于各种对空间、功耗和稳定性有严格要求的应用场景。

R1211N002D-TR-MB因其低功耗、小尺寸和高稳定性，广泛应用于多种便携式和嵌入式电子系统中。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的辅助电源轨供电；在物联网节点和无线传感器网络中，为MCU、RF收发器（如Bluetooth LE、ZigBee、LoRa模块）提供稳定电压，延长电池寿命。
　　在消费类电子产品中，它可用于数字音频播放器、TWS耳机、电子标签以及小型家电控制器的电源管理部分。此外，由于其出色的噪声抑制能力和输出精度，也适用于精密测量仪器、医疗监测设备（如血糖仪、体温计）、工业传感器前端供电等对电源质量要求较高的领域。
　　在汽车电子方面，该器件可用于车载信息娱乐系统的子模块、远程无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）等低功耗应用场景。其-40°C至+85°C的宽工作温度范围确保了在复杂环境下的可靠运行。
　　在智能家居设备中，如智能门锁、温控器、安防摄像头等，R1211N002D-TR-MB可以为微控制器单元（MCU）、实时时钟（RTC）或低功耗蓝牙模块提供高效的电源解决方案。配合锂电池或纽扣电池使用时，其超低静态电流优势尤为突出，能够在长时间待机状态下最大限度地减少电量损耗。
　　此外，该器件还可用于FPGA或ASIC的辅助I/O电源、内存备份电源、模拟前端供电等领域，凭借其快速瞬态响应和高PSRR特性，保障复杂系统的稳定运行。总之，凡是需要高效、安静且紧凑的电压调节方案的地方，R1211N002D-TR-MB都是一个理想的选择。

R1211N202D-TR-MB
　　R1211N202C-TR-MB
　　XC6221B20MR-G
　　XC6502B20MR-G
　　RT9062-20GB