时间：2025/7/4 3:57:45
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R1180D181B-TR-FA 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，专为无线通信应用设计。该晶体管采用先进的半导体制造工艺，能够提供高功率输出和优秀的线性性能，适用于蜂窝基站、无线电通信和其他射频放大器场景。
该型号是经过严格筛选和测试的产品，具有增强的可靠性，适合在恶劣环境条件下使用。其封装形式为表面贴装器件 (SMD)，有助于简化 PCB 设计并提高生产效率。
最大功率增益：20 dB
频率范围：700 MHz 至 3000 MHz
饱和输出功率：45 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
静态电流：1.5 A
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：SMD
R1180D181B-TR-FA 的主要特性包括：
1. 高功率输出能力，在指定频率范围内可达到 45W 的饱和输出功率。
2. 优秀的线性度，非常适合多载波和复杂调制信号的应用。
3. 较宽的工作频率范围，覆盖了多个常见的无线通信频段。
4. 表面贴装封装形式，支持自动化生产和更紧凑的设计。
5. 内部匹配网络优化，降低了对外部元件的需求，简化了外围电路设计。
6. 具有良好的热稳定性和机械可靠性，确保在各种环境下长期稳定运行。
这款射频功率晶体管广泛应用于以下领域：
1. 蜂窝基站发射机中的功率放大器模块。
2. 固定无线接入 (FWA) 系统中的射频放大器。
3. 专用移动通信 (PMR) 和对讲机设备中的功率放大器。
4. 测试与测量设备中的高功率信号源。
5. 其他需要高效射频功率放大的无线通信系统。
R1180D181B-TR-FA 凭借其出色的性能和可靠性，成为众多射频工程师的理想选择。
R1180D181A-TR-FA, R1180D182B-TR-FA
