工作输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±1.0%
　　最大输出电流：600mA
　　静态电流：典型值30μA
　　关断电流：小于1μA
　　开关频率：典型值3MHz
　　占空比范围：0% ~ 100%
　　反馈参考电压：0.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP) 1.2×1.2mm, 6-pin

R1173H221D-T1-FE具备多项先进特性，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其采用同步整流技术，显著提升了转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下，效率可达90%以上，有效延长电池供电设备的工作时间。同步整流结构取代了传统续流二极管，减少了能量损耗并降低了发热，从而提高了整个电源系统的能效表现。其次，该芯片集成了低导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET作为上下管开关，不仅减小了导通损耗，也简化了外围电路设计，无需额外驱动电路即可实现高效功率转换。
　　该器件支持高达3MHz的开关频率，允许使用小型陶瓷电感和电容构建完整的电源方案，极大缩减了解决方案的整体尺寸，非常适合高密度集成的便携式电子产品。高频操作还有助于避开敏感频段，减少电磁干扰（EMI）问题。此外，R1173H221D-T1-FE内置精密误差放大器和电压基准源，确保输出电压具有±1%的高精度调节能力，满足对电源稳定性要求严苛的应用场景。
　　在保护功能方面，芯片集成了全面的安全机制，包括逐周期限流保护、自动恢复模式下的过流保护、热关断保护以及输出短路保护，可在各种异常情况下自动切断输出或进入待机状态，防止器件损坏。当故障排除后，系统可自动恢复正常运行，提升了系统的可靠性和耐用性。另外，该芯片支持脉冲跳跃（Pulse Skip）模式，在轻载时自动切换至节能模式，进一步降低静态功耗，维持高效率。
　　启动过程中，R1173H221D-T1-FE具备软启动功能，可有效抑制浪涌电流，避免输入电源电压跌落影响其他电路单元。其使能（EN）引脚支持外部逻辑控制，便于实现电源序列控制或多路电源协调管理。所有这些特性共同构成了一个高效、稳定、安全且易于使用的电源管理解决方案，适用于现代低功耗、高性能电子系统的设计需求。

R1173H221D-T1-FE广泛应用于各类对电源效率、尺寸和稳定性要求较高的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电，例如为传感器模块、摄像头模组、音频编解码器或无线通信芯片（如Wi-Fi、蓝牙、NFC）提供稳定的低压电源。由于其超小封装和高集成度，也非常适合用于可穿戴设备，如智能手表、健康监测手环和TWS耳机，这些设备对PCB空间极为敏感，同时要求长时间续航能力。
　　在物联网（IoT）终端设备中，如无线传感器节点、智能家居控制器和远程监控装置，R1173H221D-T1-FE凭借其低静态电流和高转换效率优势，能够显著延长电池使用寿命，支持长时间待机和间歇性工作模式。此外，该芯片也常用于工业手持设备、便携式医疗仪器（如血糖仪、体温计、心率监测器）以及小型嵌入式控制系统中，为其微处理器、FPGA或ASIC核心供电。
　　在消费类电子产品中，如数码相机、电子书阅读器、便携式游戏机等，R1173H221D-T1-FE可用于将锂电池电压（通常为3.7V）高效降压至1.8V、2.2V、3.3V等常用逻辑电平，满足不同功能模块的供电需求。其快速瞬态响应能力可有效应对动态负载变化，保证系统运行的稳定性。此外，由于其具备良好的噪声抑制能力和较低的输出纹波，也可用于为模拟前端电路或高精度ADC/DAC供电，提升信号链的信噪比性能。
　　在汽车电子领域，虽然该器件未专门针对车规级认证，但在部分车载信息娱乐系统的非关键子模块中也有应用潜力，尤其是在后装市场或辅助功能模块中。总之，凡是需要高效、小型化、低噪声DC-DC转换方案的场合，R1173H221D-T1-FE都是一个极具竞争力的选择。

R1173H221A-T1-FE
　　R1140Q221B-TL-F
　　XC9236C221MR-G