时间：2025/7/12 13:56:27
阅读：5
R1160N281A-TR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，适用于高频开关和高效功率转换场景。该器件采用了先进的封装技术，能够显著提高系统的效率和功率密度，同时降低整体设计复杂度。
这款晶体管主要针对消费电子、通信设备以及工业应用中的电源管理模块而设计。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为现代电源系统中理想的开关元件。
最大漏源电压：28V
连续漏极电流：160A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：12nC
反向恢复电荷：无（因 GaN 结构无反向恢复时间）
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
R1160N281A-TR 具有以下显著特点：
1. 高效性能：得益于氮化镓材料的独特属性，该晶体管具备超低导通电阻和快速开关速度，从而大幅减少了传导损耗和开关损耗。
2. 高可靠性：通过严格的制造工艺和测试流程，确保器件在各种恶劣环境下的稳定运行。
3. 紧凑型设计：采用小型化的 TO-263 封装形式，节省 PCB 空间，同时支持表面贴装工艺，提升生产效率。
4. 宽广的工作温度范围：能够在极端温度条件下正常工作，适应性更强。
5. 无反向恢复特性：由于氮化镓技术本身的优势，消除了传统硅基 MOSFET 的反向恢复问题，进一步提升了系统效率。
R1160N281A-TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，用于笔记本电脑适配器、服务器电源等。
2. 无线充电设备：利用其高频开关能力，实现高效的能量传输。
3. 电机驱动：适用于高功率密度的电动工具和家用电器控制电路。
4. 太阳能逆变器：为光伏系统提供高效的能量转换解决方案。
5. 数据中心供电模块：帮助构建更紧凑且高效的电源架构。
R1100N281A-TR, R1200N281A-TR
