型号：R1155N050B-TR-FE
　　制造商：Ricoh（理光）
　　类型：CMOS LDO稳压器
　　输出电压：5.0V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：300mA
　　压差电压：典型值110mV（@Iout=60mA）
　　静态电流：典型值2.0μA
　　关断电流：≤1μA
　　输入电压范围：2.0V～6.0V
　　工作温度范围：-40°C～+85°C
　　封装形式：DFN(PLP)1010-4 或类似小型封装
　　保护功能：过流保护、过热保护
　　输出电容推荐：陶瓷电容（≥1.0μF）
　　调节类型：固定输出
　　PSRR（电源抑制比）：典型值60dB（@1kHz）

R1155N050B-TR-FE具备多项先进特性，使其在同类LDO产品中表现出色。首先，其超低静态电流（典型值仅为2.0μA）显著延长了电池供电设备的工作时间，特别适用于需要长时间待机或低功耗运行的应用场景，例如无线传感器网络、智能手表和其他IoT设备。该LDO采用了先进的CMOS技术，实现了高集成度与低噪声性能，输出电压纹波极小，能够为敏感的模拟电路或高精度ADC/DAC模块提供干净的电源。其内置的过热保护（Thermal Shutdown）和自动恢复功能可在芯片温度超过安全阈值时自动切断输出，待温度下降后恢复正常工作，提升了系统的安全性与可靠性。
　　R1155N050B-TR-FE还具备优异的瞬态响应能力，即使负载电流发生快速跳变，也能迅速调整以维持输出电压稳定，避免系统复位或数据错误。该器件支持使用小型陶瓷电容器作为输出滤波电容（推荐值≥1.0μF），不仅降低了对外部元件的要求，也减少了整体方案的体积和成本。其低压差特性意味着在输入电压接近输出电压时仍能正常工作，提高了能源利用效率，尤其适合在电池电压逐渐下降的应用环境中保持更长的有效工作时间。
　　此外，该LDO具有良好的线性调整率和负载调整率，分别保证了在输入电压变化和负载电流波动情况下的输出稳定性。其高达60dB的电源抑制比（PSRR）在1kHz频率下有效抑制来自前级电源的噪声干扰，提升了整个系统的抗干扰能力。器件采用小型DFN封装，具有优良的散热性能和空间利用率，非常适合高密度PCB布局。所有这些特性共同使R1155N050B-TR-FE成为高性能、低功耗电源管理设计中的理想选择。

R1155N050B-TR-FE因其高精度、低功耗和小型化特点，广泛应用于多种便携式和嵌入式电子设备中。它常用于为微控制器单元（MCU）、传感器模块、实时时钟（RTC）、存储器芯片以及其他低功耗数字或模拟电路提供稳定的5.0V电源。在智能手机和平板电脑中，该LDO可用于为摄像头模组、指纹识别模块或辅助电源轨供电，确保关键功能模块在待机模式下仍能高效运行。
　　在可穿戴设备领域，如智能手环、健康监测设备和TWS耳机中，R1155N050B-TR-FE凭借其极低的静态电流和小型封装，成为延长电池续航的关键元件之一。其稳定的输出电压和快速的瞬态响应能力也有助于提升音频编解码器或无线通信模块（如蓝牙BLE）的工作稳定性。
　　在工业控制和自动化系统中，该器件可用于为隔离式接口电路、RS-485收发器或PLC中的信号调理电路提供干净的电源。此外，在智能家居设备、无线传感器节点和物联网网关中，R1155N050B-TR-FE能够有效支持低功耗无线传输芯片（如Zigbee、LoRa或Wi-Fi SoC）的长期稳定运行。
　　由于其宽输入电压范围（2.0V～6.0V），该LDO也可用于多节电池串联或单节锂离子/锂聚合物电池供电系统中，在电池放电全过程都能保持稳定输出，是电池管理系统（BMS）中理想的辅助电源解决方案。总之，R1155N050B-TR-FE适用于任何对电源效率、体积和稳定性有较高要求的现代电子系统。

XC6206P502MR-G
　　AP2112K-5.0TRG
　　MIC5205-5.0YM5-TR
　　TPS78350DDCR
　　RT9193-50GB