工作输入电压范围：2.0V ~ 6.0V
　　输出电压精度：±2%
　　输出电压：4.8V
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值3.0μA
　　关断电流：≤0.1μA
　　压差电压：300mV @ 300mA
　　负载调整率：±50mV
　　线路调整率：±0.05%/V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：DFN(PLP1515-6)
　　保护功能：过流保护、过热保护、反向电流防止
　　PSRR（1kHz）：≥70dB
　　稳定性要求电容：陶瓷电容（最小1.0μF）

R1154H048B具备卓越的动态性能和稳定性，能够在各种负载条件下提供干净且稳定的输出电压。其高纹波抑制比（PSRR）使其在噪声敏感的应用中表现优异，例如音频处理单元、射频模块和精密传感器供电系统。在1kHz频率下，PSRR可达70dB以上，在低频段（如100Hz）甚至更高，有效滤除来自上游开关电源或电池波动的噪声干扰，保障下游电路正常运行。
　　该器件采用专有的CMOS工艺制造，结合先进的误差放大器设计，实现了极低的静态电流消耗，仅约3.0μA，对于依赖电池长期工作的设备至关重要。同时，在关断模式下，通过使能引脚（EN）控制，可将电流降低至0.1μA以下，实现节能待机状态。这使得R1154H048B特别适合用于间歇性工作的无线传感器网络节点或移动设备中的子系统电源管理。
　　另一个关键特性是其出色的瞬态响应能力。当负载电流快速变化时（例如从1mA跳变到200mA），输出电压波动极小，并能迅速恢复稳定，这归功于内部补偿电路优化和对外部输出电容的低ESR要求。只需使用一个最小1.0μF的陶瓷电容器即可保证环路稳定，无需额外的复杂补偿元件，从而降低了整体物料成本和设计难度。
　　热保护机制采用智能温控设计，当芯片结温超过安全阈值（通常为150°C）时自动关闭输出，防止损坏。一旦温度下降，器件将自动重启，无需人工干预。这种自恢复功能增强了系统鲁棒性。此外，R1154H048B还内置了短路保护电路，限制最大输出电流以防止故障扩散。综合这些特性，R1154H048B是一款兼具高性能、高可靠性和低功耗优势的理想LDO解决方案。

R1154H048B常用于对电源噪声敏感且要求高能效的便携式电子产品中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨、蓝牙/Wi-Fi模组供电、GPS接收器、数字信号处理器（DSP）和微控制器单元（MCU）的核心电压供应。由于其低静态电流和小型封装，它也广泛应用于各类可穿戴设备，如智能手表、健康监测手环等，这些设备对电池续航能力和物理空间有严格限制。
　　在工业自动化和物联网领域，R1154H048B可用于为无线传感器节点、远程数据采集模块和低功耗通信接口（如RS-232、CAN或I2C电平转换）提供稳定电源。其高PSRR特性使其成为精密模拟前端的理想选择，比如为ADC、DAC或运算放大器供电，避免电源噪声影响测量精度。
　　此外，该LDO还可用于汽车电子中的非动力总成系统，例如车载信息娱乐系统的辅助电源、车内环境传感器或ECALL模块。尽管工作温度范围为-40°C至+85°C，未达到AEC-Q100标准，但在部分消费级车载产品中仍有广泛应用。医疗电子设备中的一些便携式诊断工具，如血糖仪、脉搏血氧计等，也可采用R1154H048B作为主稳压器或备用电源调节器，确保长时间稳定运行。

R1154N048B-TR-F
　　XC6206P48MR-G
　　HT7348-1
　　ME6211C48M5G-N
　　RT9193-48GB