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R1150H052A-T1-FE 发布时间 时间:2025/9/26 15:23:28 查看 阅读:9

R1150H052A-T1-FE是一款由Ricoh(理光)公司生产的高性能低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要高精度、低噪声和高稳定性的电源管理场景中。该器件属于R1150系列,该系列以超低静态电流、快速瞬态响应和优异的负载/线路调整率著称。R1150H052A-T1-FE采用小型化封装技术,适合空间受限的便携式电子设备。其输出电压固定为0.8V,具备高输出精度,在全温度范围内可保持±1%的输出电压稳定性。该LDO内部集成了多种保护机制,包括过流保护、过热保护和反向电流防止电路,确保在复杂工作环境下的可靠运行。此外,R1150H052A-T1-FE支持陶瓷电容作为输出电容,有助于减小整体方案尺寸并提升频率响应性能。器件采用CMOS工艺制造,具有极低的静态电流(典型值约为3.0μA),非常适合电池供电设备,如智能手机、可穿戴设备、物联网终端、传感器模块等应用场合。

参数

型号:R1150H052A-T1-FE
  制造商:Ricoh(理光)
  产品类型:低压差线性稳压器(LDO)
  输出电压:0.8V(固定)
  输出电压精度:±1%(Ta=25°C)
  最大输出电流:300mA
  压差电压:110mV(@ Iout=150mA, Vout=0.8V)
  静态电流:典型3.0μA(无负载)
  关断电流:≤0.1μA(典型)
  输入电压范围:1.8V ~ 5.5V
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:DFN(PLP)1010-6
  是否环保:符合RoHS指令,不含铅(Pb)
  输出电容要求:≥0.47μF(推荐使用陶瓷电容)
  调节类型:固定输出
  保护功能:内置过流保护、过热保护、反向电流防止
  PSRR(电源抑制比):70dB(@ 1kHz, Vin=1.8V, Vout=0.8V)
  负载瞬态响应:良好,适用于动态负载变化场景

特性

R1150H052A-T1-FE具备卓越的电气性能和高集成度,其核心优势在于超低静态电流与高输出精度的结合,使其成为电池供电系统中的理想选择。该器件的静态电流仅为3.0μA,显著延长了便携式设备的待机时间,尤其适用于长期运行的低功耗应用,如无线传感器网络和智能手表。其输出电压精度达到±1%,确保在不同负载条件和温度变化下仍能维持稳定的供电电压,保障下游IC的正常工作。
  该LDO采用先进的CMOS设计技术,支持宽输入电压范围(1.8V~5.5V),能够兼容多种电源源,包括锂电池、DC-DC转换器后级稳压等。其低压差特性(仅110mV @150mA)意味着即使在输入电压接近输出电压时也能维持有效稳压,提高了能源利用效率,减少了热量损耗。
  R1150H052A-T1-FE具备出色的瞬态响应能力,能够在负载电流快速变化时迅速调整输出电压,避免电压跌落或过冲,保证系统的稳定性。同时,其高达70dB的PSRR(电源抑制比)使其在噪声敏感的应用中表现出色,可有效滤除来自前级电源的纹波干扰,为ADC、DAC、RF模块等提供干净的电源轨。
  该器件支持小型陶瓷电容作为输出电容(最小0.47μF),无需额外的ESR要求,简化了外围电路设计,降低了整体BOM成本,并提升了高频稳定性。其DFN1010-6小型封装不仅节省PCB空间,还具备良好的散热性能,适用于高密度贴装环境。
  内置多重保护功能进一步增强了系统的可靠性。过流保护可在短路或过载情况下限制输出电流;过热保护在芯片温度过高时自动关闭输出,防止损坏;反向电流防止电路则阻止电流从输出端倒灌至输入端,提升了安全性。这些特性使R1150H052A-T1-FE成为高可靠性嵌入式系统中的优选LDO解决方案。

应用

R1150H052A-T1-FE适用于对电源稳定性、功耗和空间有严格要求的各类电子设备。常见应用包括便携式消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、TWS耳机和可穿戴设备,用于为微控制器、传感器、蓝牙/Wi-Fi模块等低电压逻辑电路提供稳定电源。在物联网(IoT)领域,该LDO可用于无线传感节点、智能家居设备和远程监控终端,支持长时间电池供电运行。
  在工业自动化和测量仪器中,R1150H052A-T1-FE可为高精度模拟前端(AFE)、ADC/DAC参考电压源、低噪声放大器等敏感电路提供低噪声、高稳定性的电源,提升系统测量精度。此外,其优异的瞬态响应和PSRR性能也使其适用于射频(RF)模块供电,减少电源噪声对通信质量的影响。
  在汽车电子中,虽然其工作温度上限为+85°C,未达AEC-Q100标准,但仍可用于部分非高温区域的车载信息娱乐系统、车内传感器模块或后排娱乐设备的辅助电源管理。此外,医疗电子设备如便携式监护仪、血糖仪等对电源噪声敏感且强调低功耗的应用场景,也是该器件的理想应用方向。
  由于其支持陶瓷电容和小型封装,R1150H052A-T1-FE特别适合高密度PCB布局设计,广泛用于模块化电源设计、FPGA或MCU的核电压/IO电压稳压、以及DC-DC转换器后的二次稳压(post-regulation)环节,实现更精细的电压调节和噪声抑制。

替代型号

R1150H052A-T1-KE
  R1150H052B-T1-FE
  XC6223B08MR-G
  XC6502H081MR-G
  TPS7A0508DGKR

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R1150H052A-T1-FE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥3.66570卷带(TR)
  • 系列R1150H
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 输出配置
  • 输出类型固定
  • 稳压器数1
  • 电压 - 输入(最大值)24V
  • 电压 - 输出(最小值/固定)5.2V
  • 电压 - 输出(最大值)-
  • 电压降(最大值)0.35V @ 20mA
  • 电流 - 输出150mA
  • 电流 - 静态 (Iq)14 μA
  • 电流 - 供电(最大值)-
  • PSRR-
  • 控制特性使能
  • 保护功能过流,超温
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-89-5/6
  • 供应商器件封装SOT-89-5