时间：2025/7/12 16:17:29
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R1140Q301D-TR 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用 N 沟道技术，基于先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，适合于要求高效能和高可靠性的应用场景。
该器件广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子等领域，能够满足各种严苛的工作条件。
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压 VDS：40V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：30A
导通电阻 RDS(on)：3.9mΩ @ VGS=10V
总功耗 Ptot：140W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
栅极电荷 Qg：45nC
反向恢复时间 trr：80ns
R1140Q301D-TR 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻：其导通电阻仅为 3.9mΩ（在 VGS=10V 时），这使得它非常适合用于需要高效率的应用场合。
2. 高电流承载能力：高达 30A 的连续漏极电流允许该器件处理大功率负载。
3. 快速开关速度：低栅极电荷和短反向恢复时间确保了高效的开关操作，减少了开关损耗。
4. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的宽温度范围，适用于极端环境下的应用。
5. 高可靠性：通过严格的测试和验证，保证在恶劣条件下长期稳定运行。
6. 符合 AEC-Q101 标准：专为汽车级应用设计，具备更高的质量保障和可靠性标准。
R1140Q301D-TR 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统：包括电机驱动、电池管理系统、DC/DC 转换器等。
2. 工业自动化：如伺服驱动器、可编程逻辑控制器 (PLC) 和工业电源。
3. 消费电子产品：例如笔记本电脑适配器、游戏机电源以及家用电器中的功率管理模块。
4. 可再生能源：用于太阳能逆变器和风力发电系统的功率转换部分。
5. 通信设备：如基站电源和网络交换机的供电单元。
这些应用都依赖于其高效率、高可靠性和强大的功率处理能力。
R1140Q301D-TR
