R1131N121D-TR-F 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管(NMOS),专为高频开关和功率管理应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
其封装形式为 SOT-23,体积小巧,非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.6A
导通电阻(典型值):120mΩ
栅极电荷:5nC
总电容:45pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
R1131N121D-TR-F 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功耗并提高效率。
2. 快速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 高可靠性设计,确保在极端温度条件下稳定运行。
4. 小型化封装(SOT-23),节省印刷电路板空间。
5. 提供出色的热性能,延长产品使用寿命。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
该型号 NMOS 晶体管广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的开关元件。
3. 负载开关,用于保护电路免受过流影响。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 各类消费类电子产品中的信号切换功能。
6. 电机驱动与保护电路中的关键组件。
R1131N121D-TR,
R1131N121DP-TR,
STP16NF06L,
IRLML6402