时间:2025/12/28 5:33:06
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R1114D331B-TR-F是一款由Nisshinbo Micro Devices Inc.(日本新光微电子)生产的高精度、低功耗电压稳压器(LDO)。该器件属于R1114D系列,专为需要稳定输出电压和极低静态电流的便携式电池供电设备而设计。R1114D331B-TR-F采用小型封装形式,适用于对空间要求严格的现代电子产品。其固定输出电压为3.3V,出厂时已精确设定,无需外部反馈电阻,简化了电路设计。该LDO具有出色的负载调整率和线性调整率,确保在输入电压波动或负载变化时仍能维持稳定的输出电压。此外,它内置过流保护和热关断功能,提升了系统的可靠性与安全性。R1114D331B-TR-F广泛应用于移动通信设备、可穿戴设备、传感器模块、物联网节点以及各种嵌入式系统中。
工作输入电压范围:1.8V ~ 5.5V
输出电压:3.3V(精度±2%)
最大输出电流:150mA
静态电流:典型值2.0μA
关断电流:小于0.1μA
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
封装形式:DFN(PLP) 1.2×1.2mm,双引脚无铅封装
引脚数:4
压差电压:300mV(在100mA负载下)
线路调整率:±0.05%/V
负载调整率:±10mV(从0到150mA)
输出电容要求:陶瓷电容,推荐值0.47μF以上
R1114D331B-TR-F具备多项先进特性,使其在同类低功耗LDO产品中表现出色。首先,其超低静态电流(典型值仅为2.0μA)显著延长了电池供电设备的待机时间,非常适合用于长期运行的IoT终端或无线传感器网络。其次,该芯片采用了CMOS工艺制造,结合内部精密带隙基准源,实现了高输出电压精度(±2%),即使在温度和输入电压大幅变化的情况下也能保持稳定输出。其快速响应能力得益于优化的内部误差放大器结构,在负载突变时能够迅速调整输出,减少电压波动。
另一个关键特性是芯片集成了多重保护机制,包括过电流限制和热关断保护。当输出短路或过载时,内部限流电路会自动限制电流,防止器件损坏;若芯片温度超过安全阈值(通常为150°C),热关断功能将关闭输出,直到温度下降后自动恢复。这种自恢复保护方式提高了系统的鲁棒性。
R1114D331B-TR-F还支持逻辑控制的关断模式,通过使能引脚(CE)可以将器件置于低功耗关断状态,此时电流消耗低于0.1μA,实现节能管理。其小型DFN封装不仅节省PCB面积,而且具有良好的散热性能,适合高密度贴装。此外,该LDO对输出电容的要求较低,仅需0.47μF以上的陶瓷电容即可保持环路稳定性,降低了外围元件成本和设计复杂度。整体而言,这款LDO在效率、尺寸、可靠性和易用性之间达到了良好平衡,是现代低功耗系统电源管理的理想选择。
R1114D331B-TR-F广泛应用于对功耗、尺寸和稳定性要求较高的电子系统中。常见使用场景包括便携式消费类电子产品,如智能手环、智能手表、蓝牙耳机等可穿戴设备,这些设备依赖电池长时间运行,因此需要高效的电源管理方案来延长续航时间。在物联网领域,该LDO常用于Wi-Fi、BLE或Zigbee无线模块的供电,为射频芯片和MCU提供干净且稳定的3.3V电源。
此外,它也适用于各类传感器节点,例如温湿度传感器、加速度计、气体检测模块等,特别是在工业监控、智能家居和环境监测系统中发挥重要作用。由于其出色的噪声抑制能力和稳定的输出特性,R1114D331B-TR-F还可作为精密模拟电路的供电源,比如ADC、DAC或运放的参考电压源。
在医疗电子设备中,如便携式血糖仪、心率监测器等低功耗诊断工具,该LDO因其高可靠性和低噪声表现而被广泛采用。同时,由于其小型化封装和无铅环保设计,符合RoHS标准,适用于高密度SMT生产工艺,满足现代电子产品微型化和绿色制造的趋势。无论是嵌入式控制器、RFID标签还是微型数据记录仪,R1114D331B-TR-F都能提供高效、稳定的电源解决方案。
XC6206P332MR-G
TPS78233DBVR
XC6223B331MR-G
MCP1700-3302E/TO