型号：R1114D281B-TR-F
　　制造商：Nisshinbo Micro Devices Inc.
　　产品类型：低压差线性稳压器（LDO）
　　输出电压：2.8V（固定）
　　输出电压精度：±2%
　　最大输出电流：150mA
　　输入电压范围：2.0V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值2.4μA（关断模式下更低）
　　压差电压：典型值110mV @ Iout=60mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　关断电流：≤0.1μA
　　封装类型：DFN(PLP)1010-4（1.0mm x 1.0mm）
　　引脚数：4
　　输出电容类型：陶瓷电容（推荐0.47μF ~ 10μF）
　　调节类型：固定输出
　　保护功能：过流保护、过热保护
　　使能功能：有（CE引脚）

R1114D281B-TR-F具备多项先进特性，使其成为低功耗便携式设备中的理想电源管理选择。首先，其超低静态电流（典型值仅2.4μA）显著降低了待机功耗，在电池供电系统中可有效延长续航时间。其次，该器件采用了高增益、低失调的误差放大器结构，结合内部补偿网络，实现了出色的线路和负载调整率，即使在输入电压波动或负载快速变化的情况下也能维持稳定的2.8V输出。其低压差特性（在60mA负载下压差仅为110mV左右）意味着在接近截止电压时仍能继续提供有效输出，提升了能源利用效率。
　　该LDO支持使用小型陶瓷电容作为输出滤波电容（最小0.47μF），这不仅减少了外部元件数量和PCB占用面积，还增强了高频噪声抑制能力，适合对EMI敏感的应用。DFN(PLP)1010-4的小型封装设计特别适用于高度集成的移动设备，如TWS耳机、智能手环等。此外，芯片集成了完整的安全机制，包括自动恢复式过流保护和热关断保护，当芯片因过载导致温度过高时会自动切断输出，待温度下降后恢复正常工作，避免永久性损坏。
　　另一个关键特性是其数字使能（CE）功能，允许主控MCU通过逻辑信号控制LDO的开启与关闭，实现精细化电源管理策略。在关断模式下，电流消耗降至0.1μA以下，几乎不消耗电池能量。同时，R1114D系列具有良好的PSRR（电源抑制比），在宽频率范围内有效滤除输入端的纹波干扰，保障后级精密电路（如RF模块、传感器、ADC等）的稳定运行。这些综合性能优势使得R1114D281B-TR-F在现代低功耗电子产品中具有很高的实用价值和市场竞争力。

R1114D281B-TR-F广泛应用于各类需要高效、小型化电源解决方案的便携式电子设备中。典型应用场景包括无线通信模块，例如蓝牙BLE、Zigbee或Wi-Fi模组，为其提供干净稳定的2.8V电源，确保射频性能不受电源噪声影响。在可穿戴设备领域，如智能手表、健康监测手环、助听器等，该LDO凭借其微型封装和极低静态功耗成为首选电源器件。它也常用于物联网（IoT）终端节点，如环境传感器、智能家居控制器、远程监控设备，这些系统通常依赖纽扣电池或小型锂电池长期运行，因此对电源效率要求极高。
　　此外，该芯片适用于各种消费类电子产品，如TWS真无线耳机、电子标签、小型摄像头模组、手机周边配件等，为MCU、传感器、存储器或其他模拟前端电路提供可靠的局部供电。在工业自动化和医疗电子中，对于那些需要长时间离线工作的低功耗仪表或便携式诊断设备，R1114D281B-TR-F同样表现出色。由于其出色的瞬态响应能力和高PSRR，还可用于为高精度ADC、DAC或低噪声放大器等敏感模拟电路供电，减少电源引入的噪声干扰，提高信号采集精度。总之，凡是追求小型化、长续航、高可靠性的电池供电系统，都是R1114D281B-TR-F的理想应用领域。

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　　 "R1114Q281B-TL-F",
　　 "XC6223B281MR-G",
　　 "RT9062-28GB"
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