R110-01 时间：2025/8/10 18:06:56 阅读：9

R110-01是一款由Renesas Electronics生产的N通道增强型功率MOSFET，广泛应用于工业和消费类电子设备中。这款MOSFET设计用于高效率和高性能的电源管理应用，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力的特点。R110-01采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的导通性能和热稳定性，适用于各种开关电源、电机驱动和负载开关应用。

参数

类型：N通道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：110A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.012Ω（典型值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　封装类型：TO-263（D2PAK）或TO-220
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

特性

R110-01 MOSFET具有多项优越的性能特点。首先，其极低的导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。其次，该器件具有较高的击穿电压能力，能够承受较大的电压应力，适用于各种高压应用环境。此外，R110-01采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，确保在高功率应用中仍能保持稳定的工作温度。该器件的栅极驱动设计优化，能够快速开关，减少开关损耗并提高系统的响应速度。R110-01还具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行。最后，该MOSFET的封装形式多样，便于在不同应用场景中灵活选用，满足不同的设计需求。
　　